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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
EM63A165BM-5IH Etron Technology, Inc. EM63A165BM-5IH 2.6189
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA EM63A165 Sdram 3v〜3.6V 54-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM63A165BM-5IHTR Ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 4.5 ns DRAM 16m x 16 平行线 10NS
EM68A16CBQC-25H Etron Technology, Inc. EM68A16CBQC-25H 1.8198
RFQ
ECAD 7387 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68A16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM68A16CBQC-25HTR Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ps DRAM 16m x 16 平行线 15ns
EM6GF16EW5A-10ISH Etron Technology, Inc. EM6GF16EW5A-10ish 20.0250
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 Etron Technology,Inc。 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000
EM63B165TS-5ISG Etron Technology, Inc. EM63B165TS-5ISG 6.8508
RFQ
ECAD 5761 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) EM63B165 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM63B165TS-5ISGTR Ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 4.5 ns DRAM 32m x 16 平行线 10NS
EM6GD08EWUF-10H Etron Technology, Inc. EM6GD08EWUF-10H 2.9953
RFQ
ECAD 8928 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA EM6GD08 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6GD08EWUF-10HTR Ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns DRAM 256m x 8 平行线 15ns
EM68B16CWQK-25H Etron Technology, Inc. EM68B16CWQK-25H 2.2334
RFQ
ECAD 9792 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68B16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM68B16CWQK-25HTR Ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps DRAM 32m x 16 平行线 15ns
EM639165TS-5IG Etron Technology, Inc. EM639165TS-5Ig 1.7660
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) EM639165 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM639165TS-5IGTR Ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 易挥发的 128mbit 4.5 ns DRAM 8m x 16 平行线 10NS
EM6GE08EW8D-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10IH 5.8500
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA EM6GE08 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns DRAM 512m x 8 平行线 15ns
EM68C16CWQG-25H Etron Technology, Inc. EM68C16CWQG-25H 3.1099
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68C16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM68C16CWQG-25HTR Ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps DRAM 64m x 16 平行线 15ns
EM6OE16NWAKA-07IH Etron Technology, Inc. EM6OE16NWAKA-07IH 8.2500
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA EM6OE16 Sdram 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 1.333 GHz 易挥发的 4Gbit 18 ns DRAM 256m x 16 15ns
EM6OE16NWAKA-07H Etron Technology, Inc. EM6OE16NWAKA-07H 7.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA EM6OE16 Sdram 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6OE16NWAKA-07HTR Ear99 8542.32.0036 2,500 1.333 GHz 易挥发的 4Gbit 18 ns DRAM 256m x 16 15ns
EM6HC08EWUG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HC08EWUG-10IH 4.0102
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA EM6HC08 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6HC08EWUG-10IHTR Ear99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns DRAM 128m x 8 平行线 15ns
EM6HE08EW8D-10IH Etron Technology, Inc. EM6HE08EW8D-10IH 5.8500
RFQ
ECAD 1755年 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA EM6HE08 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6HE08EW8D-10IHTR Ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns DRAM 512m x 8 平行线 15ns
EM6HD08EWAHH-12IH Etron Technology, Inc. EM6HD08EWAHH-12IH 9.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA EM6HD08 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(7.5x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns DRAM 256m x 8 平行线 15ns
EM6GC08EWUG-10IH Etron Technology, Inc. EM6GC08EWUG-10IH 3.5700
RFQ
ECAD 448 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA EM6GC08 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns DRAM 128m x 8 平行线 15ns
EM6HE16EWAKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HE16EWAKG-10IH 10.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA EM6HE16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns DRAM 256m x 16 平行线 15ns
EM63B165TS-5SG Etron Technology, Inc. EM63B165TS-5SG 6.6986
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) EM63B165 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM63B165TS-5SGTR Ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 4.5 ns DRAM 32m x 16 平行线 10NS
EM6AA160BKE-4H Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4H 2.3989
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA EM6AA160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6AA160BKE-4HTR Ear99 8542.32.0024 2,500 250 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps DRAM 16m x 16 平行线 15ns
EM68D16CBQC-18IH Etron Technology, Inc. EM68D16CBQC-18IH 9.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68D16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 533 MHz 易挥发的 2Gbit 350 PS DRAM 128m x 16 SSTL_18 15ns
EM6GD08EWUF-10IH Etron Technology, Inc. EM6GD08EWUF-10IH 3.5028
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA EM6GD08 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6GD08EWUF-10IHTR Ear99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns DRAM 256m x 8 平行线 15ns
EM6A9160TSC-4IG Etron Technology, Inc. EM6A9160TSC-4IG 1.9342
RFQ
ECAD 4632 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) EM6A9160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6A9160TSC-4Igtr Ear99 8542.32.0002 1,000 250 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps DRAM 8m x 16 平行线 12ns
EM6GA16LBXA-12H Etron Technology, Inc. EM6GA16LBXA-12H 2.5100
RFQ
ECAD 688 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 EM6GA16 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 500
EM63A165TS-5G Etron Technology, Inc. EM63A165TS-5G 1.8501
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) EM63A165 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM63A165TS-5GTR Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 4.5 ns DRAM 16m x 16 平行线 10NS
EM6A9160TSC-4G Etron Technology, Inc. EM6A9160TSC-4G 1.7660
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) EM6A9160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6A9160TSC-4GTR Ear99 8542.32.0002 1,000 250 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps DRAM 8m x 16 平行线 12ns
EM6GC16EWKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6GC16EWKG-10IH 2.5809
RFQ
ECAD 1763年 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-VFBGA EM6GC16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6GC16EWKG-10IHTR Ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns DRAM 64m x 16 平行线 15ns
EM6HC16EWKG-12IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-12IH 3.5700
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-VFBGA EM6HC16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns DRAM 64m x 16 平行线 15ns
EM68D16CBQC-18H Etron Technology, Inc. EM68D16CBQC-18H 7.1250
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68D16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM68D16CBQC-18HTR Ear99 8542.32.0036 2,500 533 MHz 易挥发的 2Gbit 350 PS DRAM 128m x 16 SSTL_18 15ns
EM68A16CBQC-25IH Etron Technology, Inc. EM68A16CBQC-25IH 3.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA EM68A16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ps DRAM 16m x 16 平行线 15ns
EM639165BM-5IH Etron Technology, Inc. EM639165BM-5IH 2.0680
RFQ
ECAD 1034 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA EM639165 Sdram 3v〜3.6V 54-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM639165BM-5IHTR Ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 4.5 ns DRAM 8m x 16 平行线 10NS
EM6HB16EWKA-12H Etron Technology, Inc. EM6HB16EWKA-12H 2.9779
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-VFBGA EM6HB16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2174-EM6HB16EWKA-12HCT Ear99 8542.32.0028 1,500 800 MHz 易挥发的 512Mbit 20 ns DRAM 32m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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