记忆(77)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
EM6OE16NWAKA-07H	7.5000	询价	2	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA	EM6OE16	内存	1.14V～1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6OE16NWAKA-07HTR	EAR99	8542.32.0036	2,500人	1.333GHz	易挥发的	4G比特	18纳秒	动态随机存取存储器	256M×16	荚	15纳秒
EM6OE16NWAKA-07IH	8.2500	询价	9367	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-TFBGA	EM6OE16	内存	1.14V～1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	1.333GHz	易挥发的	4G比特	18纳秒	动态随机存取存储器	256M×16	荚	15纳秒
EM6HE08EW3F-10IH	-	询价	6933	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-TFBGA	EM6HE08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (9x10.6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6HE08EW3F-10IHTR	EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×8	平行线	15纳秒
EM68B16CWQK-25H	2.2334	询价	9792	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～85℃（温控）	表面贴装	84-TFBGA	EM68B16	SDRAM-DDR2	1.7V~1.9V	84-FBGA (8x12.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM68B16CWQK-25HTR	EAR99	8542.32.0028	2,500人	400兆赫	易挥发的	512兆比特	400皮秒	动态随机存取存储器	32米×16	平行线	15纳秒
EM68C16CWQG-25H	3.1099	询价	3127	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～85℃（温控）	表面贴装	84-TFBGA	EM68C16	SDRAM-DDR2	1.7V~1.9V	84-FBGA (8x12.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM68C16CWQG-25HTR	EAR99	8542.32.0032	2,500人	400兆赫	易挥发的	1Gbit	400皮秒	动态随机存取存储器	64米×16	平行线	15纳秒
EM6AC160TSA-4G	-	询价	1597	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM6AC160	SDRAM-DDR	2.3V~2.7V	66-TSOP II	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			过时的		1,000	250兆赫	易挥发的	1Gbit	700皮秒	动态随机存取存储器	64米×16	SSTL_2	15纳秒
EM63A165TS-5G	1.8501	询价	8203	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM63A165	内存	3V～3.6V	54-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM63A165TS-5GTR	EAR99	8542.32.0024	1,000	200兆赫	易挥发的	256兆比特	4.5纳秒	动态随机存取存储器	16M×16	平行线	10纳秒
EM6GC08EWUG-10IH	3.5700	询价	第448章	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6GC08	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-FBGA (8x10.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0032	2,500人	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	128M×8	平行线	15纳秒
EM6HE16EWAKG-10IH	10.5100	询价	7	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (7.5x13.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×16	平行线	15纳秒
EM6A9160TSC-4G	1.7660	询价	5674	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM6A9160	SDRAM-DDR	2.3V~2.7V	66-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6A9160TSC-4GTR	EAR99	8542.32.0002	1,000	250兆赫	易挥发的	128Mbit	700皮秒	动态随机存取存储器	8M×16	平行线	12纳秒
EM6GF16EW5A-10ISH	20.0250	询价	1348	钰创科技股份有限公司	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,000
EM6HC16EWKG-12IH	3.5700	询价	8134	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-VFBGA	EM6HC16	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (8x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0032	1,500人	800兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	平行线	15纳秒
EM6GD08EWUF-10H	2.9953	询价	8928	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-TFBGA	EM6GD08	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-FBGA (8x10.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6GD08EWUF-10HTR	EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×8	平行线	15纳秒
EM63A165BM-5IH	2.6189	询价	5184	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TFBGA	EM63A165	内存	3V～3.6V	54-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM63A165BM-5IHTR	EAR99	8542.32.0024	2,500人	200兆赫	易挥发的	256兆比特	4.5纳秒	动态随机存取存储器	16M×16	平行线	10纳秒
EM6A9160TSC-4IG	1.9342	询价	4632	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM6A9160	SDRAM-DDR	2.3V~2.7V	66-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6A9160TSC-4IGTR	EAR99	8542.32.0002	1,000	250兆赫	易挥发的	128Mbit	700皮秒	动态随机存取存储器	8M×16	平行线	12纳秒
EM6GC16EWKG-10IH	2.5809	询价	第1763章	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-VFBGA	EM6GC16	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-FBGA (8x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6GC16EWKG-10IHTR	EAR99	8542.32.0032	1,500人	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	平行线	15纳秒
EM6GE08EW8D-10IH	5.8500	询价	8005	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6GE08	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-FBGA (9x10.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×8	平行线	15纳秒
EM6GD08EWUF-10IH	3.5028	询价	3137	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-TFBGA	EM6GD08	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-FBGA (8x10.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6GD08EWUF-10IHTR	EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×8	平行线	15纳秒
EM639165TS-5IG	1.7660	询价	4448	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM639165	内存	3V～3.6V	54-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM639165TS-5IGTR	EAR99	8542.32.0002	1,000	200兆赫	易挥发的	128Mbit	4.5纳秒	动态随机存取存储器	8M×16	平行线	10纳秒
EM6AA160BKE-4H	2.3989	询价	9994	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	60-TFBGA	EM6AA160	SDRAM-DDR	2.3V~2.7V	60-FBGA (8x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6AA160BKE-4HTR	EAR99	8542.32.0024	2,500人	250兆赫	易挥发的	256兆比特	700皮秒	动态随机存取存储器	16M×16	平行线	15纳秒
EM68A16CBQC-25H	1.8198	询价	7387	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～85℃（温控）	表面贴装	84-TFBGA	EM68A16	SDRAM-DDR2	1.7V~1.9V	84-FBGA (8x12.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM68A16CBQC-25HTR	EAR99	8542.32.0024	2,500人	400兆赫	易挥发的	256兆比特	400皮秒	动态随机存取存储器	16M×16	平行线	15纳秒
EM6HE08EW8D-10H	5.2066	询价	6676	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6HE08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (9x10.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6HE08EW8D-10HTR	EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×8	平行线	15纳秒
EM6GA16LBXA-12H	2.5100	询价	第688章	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极				EM6GA16				-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	500
EM6HC08EWUG-10IH	4.0102	询价	第1379章	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6HC08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (8x10.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6HC08EWUG-10IHTR	EAR99	8542.32.0032	2,500人	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	128M×8	平行线	15纳秒
EM63B165TS-5SG	6.6986	询价	9568	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	EM63B165	内存	3V～3.6V	54-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM63B165TS-5SGTR	EAR99	8542.32.0028	1,000	200兆赫	易挥发的	512兆比特	4.5纳秒	动态随机存取存储器	32米×16	平行线	10纳秒
EM6HD08EWAHH-12IH	9.0200	询价	2	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6HD08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (7.5x10.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	800兆赫	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×8	平行线	15纳秒
EM68B16CWQK-25IH	3.4400	询价	3	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	84-TFBGA	EM68B16	SDRAM-DDR2	1.7V~1.9V	84-FBGA (8x12.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0028	2,500人	400兆赫	易挥发的	512兆比特	400皮秒	动态随机存取存储器	32米×16	平行线	15纳秒
EM6HE16EWAKG-10H	10.0800	询价	1	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (7.5x13.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,000	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×16	平行线	15纳秒
EM6HD08EWUF-10IH	3.5028	询价	6459	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	EM6HD08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (8x10.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×8	平行线	15纳秒
EM6OE08NW9A-07H	7.5000	询价	2	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-TFBGA	EM6OE08	SDRAM-DDR4	1.14V～1.26V	78-FBGA (7.5x10.6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2174-EM6OE08NW9A-07HCT	EAR99	8542.32.0036	2,500人	1.333GHz	易挥发的	4G比特	18纳秒	动态随机存取存储器	512米×8	荚	15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

记忆(77)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²