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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GVT71128E36T-7 | 1.7100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 电镀技术 | GVT71128E36 | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-TQFP | GVT71128E | 静态随机存储器 | 3.3V | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 7.5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×32 | - | |||
![]() | GVT7164B19C-12 | 2.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 电镀技术 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 52-LCC(J导联) | GVT7164B | SRAM - 标准 | 4.75V~5.25V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 50兆赫 | 易挥发的 | 1.125Mbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×18 | - | |
![]() | GVT71128E36T-9 | 1.7100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 电镀技术 | GVT71128E36 | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-TQFP | GVT71128E | 静态随机存储器 | 3.3V | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 8纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×32 | - | |||
![]() | GVT71128D32T-5T | 1.7100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 电镀技术 | GVT71128D32 | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-TQFP | GVT71128D | 静态随机存储器 | 3.3V | - | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×32 | - | ||||
![]() | GVT71128D32T-7T | 1.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 电镀技术 | GVT71128D32 | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-TQFP | GVT71128D | 静态随机存储器 | 3.3V | - | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 7纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×32 | - | ||||
![]() | GVT71256B18T-8 | 1.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 电镀技术 | * | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||
![]() | GVT71128ZC36T-7 | 1.7100 | ![]() | 1328 | 0.00000000 | 电镀技术 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GVT71128G | SRAM - 标准 | 3.135V~3.465V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | - |

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