记忆(37)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
GVT71256D36T-5	4.4500	询价	9444	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256D	SRAM - 标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	200兆赫	易挥发的	9兆比特	3纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GVT71256G18T-5	1.7100	询价	7	电镀技术	GTV71256G	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71256G	静态随机存储器	3.3V	-	下载	符合ROHS3标准			3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	256K×18		-
GVT71128E36T-10T	1.7100	询价	3	电镀技术	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	700
GVT71256E18T-9T	1.7100	询价	13	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	700
GVT71128G36T-5	1.7100	询价	1	电镀技术	GVT71128G36	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128G	静态随机存储器	3.3V	-	下载	符合ROHS3标准			3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	128K×36		-
CY7C1340A-66AI	7.0600	询价	第522章	电镀技术	CY7C1340A	大部分	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	100-TQFP	CY7C1340	静态随机存储器	3.3V	-	下载	符合ROHS3标准			3A991B2A	8542.32.0041	1	66兆赫	易挥发的	4兆比特	7纳秒	静态随机存储器	128K×32		-
GVT71256B36T-8	3.7100	询价	8337	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256B	SRAM-同步，标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	9兆比特	8纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GVT71128D32T-5	1.7100	询价	39	电镀技术	GVT71128D32	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128D	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	4兆比特	5纳秒	静态随机存储器	128K×32		-
GVT71128E36T-8	1.7100	询价	7	电镀技术	GVT71128E36	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128E	静态随机存储器	3.3V	-	下载	符合ROHS3标准			3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	4兆比特	8纳秒	静态随机存储器	128K×32		-
GVT71512D18TA-5	4.4500	询价	705	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71512D	SRAM - 标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行	3A991B2A	8542.32.0041	1	200兆赫	易挥发的	9兆比特	3纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GVT71128G36T-6	1.7100	询价	4	电镀技术	GVT71128G36	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128G	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	117兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	128K×36		-
GVT71128ZC36T-5	1.7100	询价	9800	电镀技术	GVT71128Z36	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128G	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4.2纳秒	静态随机存储器	128K×36		-
GVT71512ZC18T-7.5	3.7100	询价	第494章	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.32.0041	1
GVT71128E36T-7T	1.7100	询价	7	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	700
GVT71128D32T-7	1.7100	询价	2	电镀技术	GVT71128D32	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128D	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	66兆赫	易挥发的	4兆比特	7纳秒	静态随机存储器	128K×32		-
GVT71128DA36T-4	-	询价	4325	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行			1
GVT71128D32T-5I	3.4200	询价	9427	电镀技术	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP	GVT71128D	SRAM - 标准	3.1V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	1	66兆赫	易挥发的	4兆比特	5纳秒	静态随机存储器	128K×32	平行线	-
GVT71256G18T-6	1.7100	询价	2	电镀技术	GTV71256G	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71256G	静态随机存储器	3.3V	-	下载	符合ROHS3标准			3A991B2A	8542.32.0041	1	117兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	256K×18		-
GVT71256DA18T-6	1.7100	询价	6	电镀技术	GTV71256DA	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71256DA	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166兆赫	易挥发的	4.5兆比特	3.5纳秒	静态随机存储器	256K×18		-
GVT71256E18T-9	1.7100	询价	14	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256E	SRAM - 标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	4.5兆比特	8.5纳秒	静态随机存储器	256K×18	平行线	-
GVT71256B18T-7	-	询价	第1544章	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义			1
GVT71256F18T-6	3.4200	询价	2301	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256F	SRAM-同步，标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	117兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	256K×18	平行线	-
GVT71256G18T-3	1.7100	询价	2	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256G	SRAM - 标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	256K×18	平行线	-
GVT1256G18T-5T	1.7100	询价	18	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		0000.00.0000	700
GVT71128E36T-8I	1.7100	询价	5200	电镀技术	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	101
GVT71256E18T-10T	1.7100	询价	36	电镀技术	GTV71256E	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71256E	静态随机存储器	3.3V	-	-				3A991B2A	8542.32.0041	1	50兆赫	易挥发的	4.5兆比特	10纳秒	静态随机存储器	256K×18		-
GVT71256E18T-7	1.7100	询价	5	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256E	SRAM - 标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行	3A991B2A	8542.32.0041	1	117兆赫	易挥发的	4.5兆比特	7.5纳秒	静态随机存储器	256K×18	平行线	-
GVT71256G18T-5T	1.7100	询价	10	电镀技术	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	700
GVT71128E36T-9T	1.7100	询价	10	电镀技术	GVT71128E36	大部分	过时的	0℃～70℃	表面贴装	100-TQFP	GVT71128E	静态随机存储器	3.3V	-	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	90兆赫	易挥发的	4兆比特	8纳秒	静态随机存储器	128K×32		-
GVT71128B32T-10	1.7100	询价	58	电镀技术	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	3A991B2A	8542.32.0041	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

记忆(37)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²