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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR2A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AVMA35R 30.6750
RFQ
ECAD 2639 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
EM032LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1T 42.4700
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXOAB320IS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
MR0D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45R 21.3700
RFQ
ECAD 1811 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0D08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Mbit 45 ns 内存 128K x 8 平行线 45ns
MR5A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35R 60.3421
RFQ
ECAD 1168 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR1A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AVYS35R 17.2900
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AVYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR0DL08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45R 15.0290
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0DL08 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Mbit 45 ns 内存 128K x 8 平行线 45ns
MR5A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45 77.7900
RFQ
ECAD 4191 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35 24.9685
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR2A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AYS35 31.5700
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR10Q010VSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSC 8.1000
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VSC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010CSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSC 7.6050
RFQ
ECAD 7812 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CSC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR2A08AYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35R 24.6450
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
MR25H40MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40MDFR 30.6750
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
RFQ
ECAD 8531 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
MR256A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35R 8.9250
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. MR3A16AUYS45R 39.1200
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 8mbit 45 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR25H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40CDFR 17.3550
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR1A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR1A16ACMA35R 15.9600
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16ACMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35R 15.1221
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A08BUYS45 48.3600
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A08BUYS45 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 16mbit 45 ns 内存 2m x 8 平行线 45ns
MR0A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35R 14.4172
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BYS35R 11.9700
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 128K x 8 平行线 35ns
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AVYS35R 31.0800
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MR2A16AVYS35REV Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR25H10CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H10CDFR 7.9950
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H10 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 内存 128K x 8 spi -
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AVMA35 19.8450
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AVMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库