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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR256A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35R 7.3228
RFQ
ECAD 8516 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
MR10Q010VMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMB 8.6100
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VMB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010SC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A16BUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 16mbit 45 ns 内存 1m x 16 平行线 45ns
MR10Q010MBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010MBR 7.0944
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010MBRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45R 47.0550
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A16BUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 16mbit 45 ns 内存 1m x 16 平行线 45ns
EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1T 19.5696
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQADG13IS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR5A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35R 64.0950
RFQ
ECAD 6044 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128AMDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQADG13CS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EMD3D256M08G1-150CBS1R Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1R 54.6364
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.425V〜1.575V 78-BGA(10x13) - rohs3符合条件 819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR 2,000 667 MHz 非易失性 256Mbit 14 ns 内存 32m x 8 平行线 -
EM016LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1T 26.3900
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1040 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
EM032LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1T 30.9000
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXOAB320CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1T 18.6200
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXOAB320CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR3A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR3A16AUYS45 38.6700
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 8mbit 45 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
RFQ
ECAD 334 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16ACMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AYS35R 17.2350
RFQ
ECAD 6299 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR1A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16ACMA35 23.3400
RFQ
ECAD 1738年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16ACMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 spi 35ns
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35 15.3663
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR3A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35R 28.0050
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
EM016LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1R 18.8860
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQADG13IS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1R 15.8270
RFQ
ECAD 1066 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13IS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR25H256MDC Everspin Technologies Inc. MR25H256MDC 15.0800
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 不适合新设计 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
MR20H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR20H40CDFR 20.6850
RFQ
ECAD 5963 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR20H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
EM064LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1T 42.0000
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13CS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR2A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AMA35R 24.5550
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
EM008LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1T 19.0500
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQADG13IS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库