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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR4A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35R 44.7600
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
MR4A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35 53.3300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
EM004LXOBB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXOBB320CS1T 16.5600
RFQ
ECAD 9928 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM004LXOBB320CS1T 480 200 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 内存 512k x 8 spi -octal I/o -
MR0A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BYS35 17.5300
RFQ
ECAD 769 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1002 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 128K x 8 平行线 35ns
MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35 31.5300
RFQ
ECAD 729 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1004 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
EM016LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1T 22.4250
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXOAB320IS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR25H256MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDCR 11.4450
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
MR1A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AMYS35R 20.0564
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AMYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BYS35 37.6200
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
MR0A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AYS35 17.4100
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AVMA35 19.8450
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AVMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR5A16AUMA45R Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45R 77.9850
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AUMA45RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
MR2A08AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AMYS35 31.5750
RFQ
ECAD 4318 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1026 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
MR25H256CDC Everspin Technologies Inc. MR25H256CDC 9.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1015 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. MR25H10MDF 12.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H10 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1042 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 1Mbit 内存 128K x 8 spi -
MR10Q010VMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMBR 8.8950
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VMBRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR25H40VDF Everspin Technologies Inc. MR25H40VDF 22.2750
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40VDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 9 ns 内存 512k x 8 spi -
EM008LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1R 18.7500
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1T 29.4000
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
MR25H256CDF Everspin Technologies Inc. MR25H256CDF 8.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1038 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
MR25H128AMDF Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDF 8.4750
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128AMDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR5A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35R 60.3421
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR25H128ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDF 5.6100
RFQ
ECAD 916 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128ACDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35 24.5941
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR3A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35R 23.8203
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR0A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16ACMA35R 12.4355
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
MR0DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45 15.1871
RFQ
ECAD 1792年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0DL08 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1060 Ear99 8542.32.0071 349 非易失性 1Mbit 45 ns 内存 128K x 8 平行线 45ns
MR256A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BSO35 -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1028 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40VDFR 20.1096
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40VDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 9 ns 内存 512k x 8 spi -
MR2A08AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A08AMYS35R 31.9200
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库