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![]() | MR25H256CDF | 8.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1038 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 内存 | 32K x 8 | spi | - | ||
MR25H128AMDF | 8.4750 | ![]() | 7007 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H128 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H128AMDF | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 128kbit | 内存 | 16k x 8 | spi | - | |||
![]() | MR5A16ACYS35R | 60.3421 | ![]() | 9523 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR5A16ACYS35RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | ||
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![]() | MR3A16AYS35R | 23.8203 | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16AYS35RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | ||
MR0A16ACMA35R | 12.4355 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR0A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 64k x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
MR0DL08BMA45 | 15.1871 | ![]() | 1792年 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR0DL08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1060 | Ear99 | 8542.32.0071 | 349 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | 内存 | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
MR256A08BSO35 | - | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | MR256A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1028 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | 内存 | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | MR25H40VDFR | 20.1096 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H40 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H40VDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 9 ns | 内存 | 512k x 8 | spi | - | |
MR2A08AMYS35R | 31.9200 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR2A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 4Mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 8 | 平行线 | 35ns |
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