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（238）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MR20H40CDF	25.1400	RFQ	2	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR20H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1043	Ear99	8542.32.0071	570	50 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
EM016LXQADG13CS1T	19.9500	RFQ	8815	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM016LXQADG13CS1T	Ear99	8542.32.0071	290	200 MHz	非易失性	16mbit		内存	2m x 8	spi -octal I/o	-
EM064LXQAB313CS1T	42.0000	RFQ	9568	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXQAB313CS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
EM016LXQADG13CS1R	19.9500	RFQ	5899	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM016LXQADG13CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	16mbit		内存	2m x 8	spi -octal I/o	-
MR25H10MDC	12.7500	RFQ	2	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR256A08BCMA35	11.7600	RFQ	696	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1036	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR0A16AMA35R	13.0950	RFQ	8922	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR25H40MDF	36.6700	RFQ	4	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR0A16AVYS35	14.3608	RFQ	1580	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR2A08AMA35R	24.4950	RFQ	1369	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-LFBGA	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR2A08ACYS35R	23.6208	RFQ	9287	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR4A08BCYS35R	44.7600	RFQ	8843	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR10Q010CMB	7.6050	RFQ	2089	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010CMB	Ear99	8542.32.0071	480	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MR0D08BMA45	15.7200	RFQ	8124	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-LFBGA	MR0D08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1031	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	45 ns	内存	128K x 8	平行线	45ns
EM032LXQADG13IS1R	31.4250	RFQ	6777	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXQADG13IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
MR2A16AMYS35R	31.8450	RFQ	8902	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
EM064LXOAB320CS1R	44.1750	RFQ	6779	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXOAB320CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	200 MHz	非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
MR4A08BMA35R	41.0250	RFQ	6881	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-LFBGA	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR25H10MDCR	10.2900	RFQ	3277	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR256A08BCYS35R	7.6211	RFQ	6733	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR5A16AYS35R	64.0950	RFQ	5139	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16AYS35RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	35 ns	内存	2m x 16	平行线	35ns
MR256A08BSO35R	-	RFQ	4555	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
EM008LXQADG13CS1R	15.8270	RFQ	9500	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXQADG13CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
MR2A16AMA35	29.4900	RFQ	489	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1018	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR5A16AUYS45R	77.9850	RFQ	6318	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16AUYS45RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	45 ns	内存	2m x 16	平行线	45ns
MR2A16AMYS35	31.5150	RFQ	7756	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR25H40CDC	22.9800	RFQ	2112	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR2A08AYS35	31.5300	RFQ	729	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1004	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR0A16ACYS35R	12.5286	RFQ	2172	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
EMD4E001G16G2-150CAS2R	106.4000	RFQ	4256	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.14v〜1.26v	96-BGA（10x13）	-	rohs3符合条件			819-EMD4E001G16G2-150CAS2RTR			2,000	667 MHz	非易失性	1Gbit	18 ns	内存	128m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（238）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²