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（238）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
EM032LXOAB320CS1R	30.9000	RFQ	1283	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXOAB320CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
MR4A16BCYS35	46.7700	RFQ	7130	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1017	Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR0A08BCMA35	1995年年1月13日	RFQ	7847	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1035	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR4A16BYS35R	34.8000	RFQ	8072	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR1A16AMYS35	22.4606	RFQ	2309	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR1A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR1A16AMYS35	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	2Mbit	35 ns	内存	128K x 16	平行线	35ns
MR256A08BMA35	7.3129	RFQ	9328	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1032	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR10Q010SCR	7.0944	RFQ	5497	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010SCRTR	Ear99	8542.32.0071	1,000	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MR0A16AVYS35R	15.5400	RFQ	1896年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR4A16BMA35	42.7400	RFQ	960	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	240		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR1A16AYS35	22.4000	RFQ	265	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR1A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	2Mbit	35 ns	内存	128K x 16	平行线	35ns
MR0A16ACYS35	17.3800	RFQ	5583	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR0A16AVMA35	15.8700	RFQ	8376	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1023	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR25H256AMDFR	8.5386	RFQ	9234	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H256AMDFRTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit	9 ns	内存	32K x 8	spi	-
EM032LXQADG13CS1T	29.4000	RFQ	9145	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXQADG13CS1T	Ear99	8542.32.0071	290	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
MR25H128APDFR	7.3200	RFQ	8547	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MR25H128				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000
EM008LXQAB313IS1T	19.0500	RFQ	5387	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXQAB313IS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
MR25H256MDF	11.6100	RFQ	4219	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1041	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR0A16AMYS35R	18.6450	RFQ	6395	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR3A16ACYS35	39.7500	RFQ	2040	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR3A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR3A16ACYS35	Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	8mbit	35 ns	内存	512k x 16	平行线	35ns
MR25H256ACDF	5.9100	RFQ	16	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1064	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR25H256MDCR	11.4450	RFQ	2541	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR2A08ACYS35	32.1800	RFQ	626	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1003	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR25H10CDCR	8.1000	RFQ	5273	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR5A16AUYS45R	77.9850	RFQ	6318	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16AUYS45RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	45 ns	内存	2m x 16	平行线	45ns
MR25H256APDFR	7.2219	RFQ	7247	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H256APDFRTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit	9 ns	内存	32K x 8	spi	-
MR25H40CDCR	18.9000	RFQ	6979	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR25H40DF	16.3200	RFQ	1	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H40DF	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR5A16AYS35R	64.0950	RFQ	5139	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16AYS35RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	35 ns	内存	2m x 16	平行线	35ns
MR3A16ACMA35R	32.1600	RFQ	6879	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR3A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR3A16ACMA35RTR	Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	8mbit	35 ns	内存	512k x 16	平行线	35ns
MR3A16ACYS35R	31.3650	RFQ	6440	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR3A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR3A16ACYS35RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	8mbit	35 ns	内存	512k x 16	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（238）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²