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MR5A16ACMA35 | 80.3300 | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 6(6) | 到达不受影响 | 819-MR5A16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR1A16AMYS35 | 22.4606 | ![]() | 2309 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR1A16AMYS35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR0A16ACYS35 | 17.3800 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR0A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 64k x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | MR25H256AMDFR | 8.5386 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H256AMDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 9 ns | 内存 | 32K x 8 | spi | - | |
![]() | MR25H128APDFR | 7.3200 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MR25H128 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | ||||||||||||||||
![]() | MR10Q010MBR | 7.0944 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010MBRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR25H256ACDF | 5.9100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1064 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 内存 | 32K x 8 | spi | - | ||
MR1A16AYS35 | 22.4000 | ![]() | 265 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | MR25H10CDF | 9.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H10 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1039 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 内存 | 128K x 8 | spi | - | ||
EM064LXOAB320IS1R | 47.2500 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM064LXOAB320IS1RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 内存 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - |
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