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![]() | MT29F128G08CBECBH6-12:c | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-vbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
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MT48H4M16LFB4-10 TR | - | ![]() | 8790 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48H4M16 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 7 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29F512G08CMCABH7-6:a tr | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V32M8P-6T IT:G | - | ![]() | 5382 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT46V32M16BN-6:c | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:b | - | ![]() | 9608 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29E1HT08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 非易失性 | 1.5Tbit | 闪光 | 192g x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | mtfc128gajaedn-it tr | 114.0000 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53B512M64D4NH-062 wt:c | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 272-WFBGA | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 272-WFBGA(15x15) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR | - | ![]() | 2603 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT29VZZZAD8 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F2G16ABAEAWP-IT:e | - | ![]() | 4693 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | NAND512WA2SZAXE | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-TFBGA | Nand512 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 512Mbit | 50 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 50ns | |||
MT41K64M16JT-125:G。 | - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B512M64D4EZ-062 WT:c | - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,120 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT46V32M16P-5B AIT:j | - | ![]() | 1750 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT48LC8M32B2P-7 IT TR | - | ![]() | 1046 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 14ns | ||
![]() | MT53D4DBBP-DC | - | ![]() | 5974 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | MT53D4 | sdram- lpddr4 | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 易挥发的 | 德拉姆 | ||||||||||||
![]() | MT45W4MW16BFB-706 wt f | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA(6x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT29F3T08EQCBBG2-37ES:b tr | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F3T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 272-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 3Tbit | 闪光 | 384g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR | 165.0000 | ![]() | 6125 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT28HL64 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT28HL64GRBB6EBL-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | NAND256W3A0BN6F TR | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand256 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 256Mbit | 50 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 50ns | |||
MT48LC4M32B2F5-6:G Tr | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | 12ns |
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