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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E -
RFQ
ECAD 8097 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 70NS
N25Q128A13E1440E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1440E -
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
N25Q128A13E1441E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1441E -
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
M58WR032KB70ZB6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZB6Z -
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-VFBGA M58WR032 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-VFBGA(7.7x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 2m x 16 平行线 70NS
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 AIT:b tr -
RFQ
ECAD 6013 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
MT41K512M16TNA-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 IT:e -
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ECAD 3011 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 13.5 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 -
MT42L128M64D2MC-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-25 wt:a -
RFQ
ECAD 2870 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 240-fbga(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT42L256M32D2LG-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LG-25 wt:a -
RFQ
ECAD 1880年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 168-WFBGA MT42L256M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 168-FBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 平行线 -
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 WT:b -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 8Gbit 5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 15ns
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT:b -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 8Gbit 5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 15ns
MTFC64GJVDN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-4M IT -
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC64 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
NAND256W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A0BN6F TR -
RFQ
ECAD 6763 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand256 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 256Mbit 50 ns 闪光 32m x 8 平行线 50ns
JS28F256M29EWHD Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHD -
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F256M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 256Mbit 110 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 110NS
M25P128-VME6GB Micron Technology Inc. M25P128-VME6GB -
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25P128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 320 54 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 15ms,5ms
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR -
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C2G24 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 2Gbit(NAND),1Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 8 nand),32m x 32 lpdram) 平行线 -
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT:e tr 3.2000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. mt29f1g16abbeamd-it:e tr -
RFQ
ECAD 1797年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MTFC16GLTDV-WT TR Micron Technology Inc. mtfc16gltdv-wt tr -
RFQ
ECAD 8913 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MTFC2GMXEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmxea-wt tr -
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc2g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 MMC -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 7357 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 - EDFP164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v 216-FBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 平行线 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 EMFA232 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,680
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP:b tr -
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12:b tr -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10ES:b tr -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X:b tr -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES:b tr -
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F6T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 6Tbit 闪光 768g x 8 平行线 -
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08BABAWP-AITX:b tr -
RFQ
ECAD 7074 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 400 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT51J256M32HF-80:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80:a tr -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 2 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库