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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT53E512M32D2FW-046自动：d	-	RFQ	4416	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	上次购买	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D2FW-046AUT：d			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
N25Q128A21BF840E	-	RFQ	6945	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A21	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT62F1G32D2DS-023 AAT：c	31.9350	RFQ	2429	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT：c			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT53E1G32D2FW-046 IT：a	27.1500	RFQ	7860	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G32D2FW-046IT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT53E768M32D4DT-053 AAT：e	29.2650	RFQ	3286	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E768M32D4DT-053AAT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
mtfc256gaxauea-wt tr	27.5700	RFQ	9228	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-WFBGA		Flash -nand（slc）	-	153-WFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC256GAXAUEA-WTTR			2,000		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	UFS	-
MT53E1G64D4HJ-046 wt：a tr	47.4300	RFQ	9577	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E1G64D4HJ-046WT：ATR			2,000
MT55L512L18FF-11	8.9300	RFQ	1825年	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-TBGA	MT55L512L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT47H128M8CF-25E IT：h tr	-	RFQ	1126	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT60B2G8HB-48B：a	16.5750	RFQ	4524	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	82-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	82-vfbga（9x11）	-				557-MT60B2G8HB-48B：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	-
MT53E1536M32D4DE-046 AIT：b	44.2350	RFQ	8780	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
MT58L1MY18PT-10	21.2200	RFQ	4683	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	MT58L1MY18	SRAM	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT41K2G4RKB-107 C：n	-	RFQ	9969	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		557-MT41K2G4RKB-107C：n	过时的		1,440	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns
MT53B1024M32D4NQ-062 WT：c	-	RFQ	1349	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53B1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT58L128L36P1T-10	7.1600	RFQ	11	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	MT58L128L36	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT53E256M32D2DS-046 AIT：b	19.2500	RFQ	810	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E256M32D2DS-046AIT：b	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT29F1G08ABBFAH4-AATE：f	-	RFQ	2331	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	30ns
MT62F1G64D8EK-031自动：b tr	71.3850	RFQ	9640	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D8EK-031AUT：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
MT58L512Y32DT-6	18.9400	RFQ	122	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	MT58L512Y32	SRAM	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	512K x 32	平行线	-
MT58L256L36FS-7.5	5.2800	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	8mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F	11.8300	RFQ	9604	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F			1
MT53E256M32D1K-046 IT：l	10.6300	RFQ	6487	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1K-046IT：l			1
MT46V32M16CV-5B IT：j tr	-	RFQ	2908	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0024	2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT46H64M32L2JG-5 IT：Tr	-	RFQ	2781	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT62F512M32D2DS-031 AIT：b	15.5550	RFQ	2754	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F512M32D2DS-031AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT62F768M64D4EJ-031 AIT：	93.4500	RFQ	9757	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AIT：a			1,190
MT62F4G32D8DV-023 WT ES：b	90.4650	RFQ	6434	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WTES：b			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT29F2T08GELBEJ4：b	-	RFQ	1328	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08GELBEJ4：b	过时的		1,120		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-QA：c	156.3000	RFQ	4244	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QA：c			1
MT29F2G01ABBGD12-AAT：g	2.7962	RFQ	6625	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F2G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：g		8542.32.0071	1,122	83 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²