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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT58L512Y36PF-10 | 18.3500 | ![]() | 177 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | MT58L512Y36 | SRAM | 3.135V〜3.465V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B TR | 27.9300 | ![]() | 5757 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT:BTR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT54V512H36EF-5 | 19.3000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 微米技术公司 | QDR™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | sram-同步 | 2.4v〜2.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.2 ns | SRAM | 512k x 36 | HSTL | - | ||||
![]() | EDFM432A1PH-GD-FD | - | ![]() | 4341 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | EDFM432 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | 168-FBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 800 MHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 AIT:e | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E384M32D2DS-046AIT:e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | mtfc4gacajcn-1m wt tr | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR | - | ![]() | 7801 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT49H8M36FM-33 Tr | - | ![]() | 7958 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MTFC64GAJAECE-5M AIT | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT49H8M36BM-33:b tr | - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | MT29VZZZAD8 | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46H64M32LFCX-6:b tr | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||
MT53E1G32D2FW-046 AIT:c | - | ![]() | 5951 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
MT29F4G01ABBFD12-IT:f tr | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT29F4G01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT29F4G01ABBFD12-IT:ftr | 过时的 | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | |||||
![]() | MT53E4G32D8GS-046 wt:c tr | 127.0200 | ![]() | 4837 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | - | - | sdram- lpddr4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55L256L | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT48LC8M16A2P-6A AIT:l | - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AIT:c tr | 20.7300 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8T67A3WC1 | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | - | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||
MT41K64M16TW-107 IT:j tr | 3.6664 | ![]() | 2253 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc16gltam-wt tr | - | ![]() | 2272 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | mtfc16g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR | - | ![]() | 5642 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | MT25QU128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT25QU128ABA1ESE-MSITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
![]() | M36L0R7050T4ZAQF TR | - | ![]() | 7928 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | M36L0R7050 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT:c tr | - | ![]() | 5153 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT53E4G32D8CY-046 wt:c | 90.4650 | ![]() | 9649 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | - | - | sdram- lpddr4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8CY-046WT:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | MT62F1G64D8EK-031 AAT:b tr | 62.0700 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AAT:BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-026 wt:b | 34.2750 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | - | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:b | 1 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 768m x 64 | - | - | |||||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-023 FAAT:b | 94.8300 | ![]() | 6924 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023FAAT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 3G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | MT29F512G08CKCABH7-10:a | - | ![]() | 9323 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT29F512G08CKCABH7-10:a | 过时的 | 980 |
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