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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MT58L512Y36PF-10 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PF-10 18.3500
RFQ
ECAD 177 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT58L512Y36 SRAM 3.135V〜3.465V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B TR 27.9300
RFQ
ECAD 5757 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT62F768 - 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT:BTR 2,500
MT54V512H36EF-5 Micron Technology Inc. MT54V512H36EF-5 19.3000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 微米技术公司 QDR™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 2.4v〜2.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 2.2 ns SRAM 512k x 36 HSTL -
EDFM432A1PH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PH-GD-FD -
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 - EDFM432 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v 168-FBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,680 800 MHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 平行线 -
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT:e -
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-046AIT:e Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MTFC4GACAJCN-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-1m wt tr -
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC - 未行业行业经验证
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR -
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT49H8M36FM-33 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-33 Tr -
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H8M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
MTFC64GAJAECE-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAECE-5M AIT -
RFQ
ECAD 8015 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC64 闪存-NAND - 169-LFBGA(14x18) - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MT49H8M36BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33:b tr -
RFQ
ECAD 9649 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H8M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C -
RFQ
ECAD 2779 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 MT29VZZZAD8 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,520
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-6:b tr -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT:c -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AIT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-IT:f tr -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F4G01 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) MT29F4G01ABBFD12-IT:ftr 过时的 8542.32.0071 2,000 83 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 4G x 1 spi -
MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 wt:c tr 127.0200
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT55L256L36FT-11 Micron Technology Inc. MT55L256L36FT-11 14.4200
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55L256L sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 MHz 易挥发的 8mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AIT:l -
RFQ
ECAD 3640 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT53E768M32D2FW-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 AIT:c tr 20.7300
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:CTR 2,000
MT46V64M8T67A3WC1 Micron Technology Inc. MT46V64M8T67A3WC1 -
RFQ
ECAD 6764 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V - 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 512Mbit 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT41K64M16TW-107 IT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 IT:j tr 3.6664
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 -
MTFC16GLTAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc16gltam-wt tr -
RFQ
ECAD 2272 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR -
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) MT25QU128ABA1ESE-MSITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
M36L0R7050T4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZAQF TR -
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 M36L0R7050 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT:c tr -
RFQ
ECAD 5153 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M -
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT53E4G32D8CY-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8CY-046 wt:c 90.4650
RFQ
ECAD 9649 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8CY-046WT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AAT:b tr 62.0700
RFQ
ECAD 4623 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT:BTR 1,500 3.2 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 wt:b 34.2750
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT62F3G32D8DV-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 FAAT:b 94.8300
RFQ
ECAD 6924 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023FAAT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MT29F512G08CKCABH7-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-10:a -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT29F512G08CKCABH7-10:a 过时的 980
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库