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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
M29W160EB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AN6F TR -
RFQ
ECAD 1526年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行线 70NS
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR -
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT28F004B5VG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 Tet -
RFQ
ECAD 6053 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) MT28F004B5 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 40-tsop i 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Mbit 80 ns 闪光 512k x 8 平行线 80ns
EDB4064B3PB-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PB-8D-FD -
RFQ
ECAD 5984 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA EDB4064 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 216-WFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,680 400 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 64m x 64 平行线 -
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FD -
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ECAD 6282 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 - EDBA164 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT25QL128ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW9-0SIT 4.1200
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ECAD 7303 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V (8-wpdfn(8x6)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
EDFA332A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FR TR -
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ECAD 6875 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C TR -
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ECAD 1574年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA (9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 400 ps 德拉姆 512m x 4 平行线 15ns
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AIT:b tr -
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ECAD 8452 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:E TR -
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 512m x 4 平行线 15ns
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 AIT:b -
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
MT58L128V18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V18PT-7.5 2.7800
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ECAD 700 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 128K x 18 平行线 -
MT48LC4M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E:G Tr -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 14ns
MT48V4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10:G。 -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT48LC4M32B2B5-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-7:G Tr -
RFQ
ECAD 4465 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 14ns
MT47H32M16HR-25E L:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E L:G -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M45PE20S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE20S-VMN6TP TR -
RFQ
ECAD 3369 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M45PE20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 15ms,3ms
MTFC32GAKAECN-5M AIT Micron Technology Inc. mtfc32gakaecn-5m AIT -
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ECAD 7042 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND - 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F4G08BABWP TR Micron Technology Inc. MT29F4G08BABWP TR -
RFQ
ECAD 7955 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT40A1G8SA-075:H Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075:h -
RFQ
ECAD 9533 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
PC28F00AP33EF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP333 EF0 -
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ECAD 9285 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F00A 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 非易失性 1Gbit 95 ns 闪光 64m x 16 平行线 95ns
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUEBBH8-12:b tr -
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ECAD 7199 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F512G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT48LC4M32B2P-7:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-7:G。 -
RFQ
ECAD 5144 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 14ns
NAND02GR3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand02g 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND02GR3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 2Gbit 45 ns 闪光 256m x 8 平行线 45ns
MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6 IT:G Tr -
RFQ
ECAD 6056 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 12ns
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-7 IT:G。 -
RFQ
ECAD 8520 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 14ns
MT48LC8M32B2B5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-6 TR -
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC8M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 12ns
MT45W4MW16BCGB-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 wt tr -
RFQ
ECAD 4987 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT:e 49.0500
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ECAD 2594 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc. mt29c4g96-mayapcmj-5 it -
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ECAD 6255 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -40°C〜85°C(TA) - - MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库