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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT28F320J3BS-11 MET	-	RFQ	5900	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F320J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	-
EDW4032BABG-80-FD	-	RFQ	9576	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW4032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,440	2 GHz	易挥发的	4Gbit		内存	128m x 32	平行线	-
MT46V32M16FN-75 L：C Tr	-	RFQ	1890年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	-	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT48H16M32L2B5-8 Tr	-	RFQ	4014	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	易挥发的	512Mbit	7.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT29F512G08CUCABH3-12IT：a	-	RFQ	4726	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
M58LR256KT70ZQ5F TR	-	RFQ	4093	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	88-TFBGA	M58LR256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	16m x 16	平行线	70NS
PC28F256M29EWHB TR	-	RFQ	9339	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	100ns
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR	-	RFQ	2727	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT48LC8M16A2P-75 IT：G Tr	-	RFQ	8979	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F4G01AAADDHC-IT：d	-	RFQ	5067	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1	-	RFQ	3569	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	死	-					过时的	0000.00.0000	1		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT48H16M16LFBF-75：g tr	-	RFQ	7852	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT46V16M16TG-75：f tr	-	RFQ	2799	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT29F4G01ABAFDWB-ITS：f tr	-	RFQ	1109	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT45W8MW16BGX-708 WT TR	-	RFQ	2254	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	MT45W8MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	80 MHz	易挥发的	128mbit	70 ns	PSRAM	8m x 16	平行线	70NS
EDB1316BDBH-1DAAT-FR TR	-	RFQ	2892	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB1316	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT	-	RFQ	3466	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53E1G32D2FW-046 IT：a tr	27.1500	RFQ	2425	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G32D2FW-046IT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT29F64G08AECABH1-10ITZ：a	87.1200	RFQ	857	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
NAND08GAH0JZC5E	-	RFQ	2687	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-LFBGA	Nand08g	闪存-NAND	3.135V〜3.465V	153-LFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND08GAH0JZC5E	3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	MMC	-
M25P128-VMFPBALT	-	RFQ	4530	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25P128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,225	50 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	15ms，7ms
RC28F256J3C125SL7HE	-	RFQ	1509	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	860798	3A991B1A	8542.32.0071	2		非易失性	256Mbit	125 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	125ns
M29W256GH7AN6E	-	RFQ	8097	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
MT29F384G08EBHBBJ4-3Res：b tr	-	RFQ	5044	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F384G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	384Gbit		闪光	48g x 8	平行线	-
MT38M4041A3034EZZI.xk6	-	RFQ	2839	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT38M4041	flash-也不，psram	1.7V〜1.95V	56-VFBGA（8x8）	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,560	133 MHz	非易失性，挥发性	256mbit（flash），128mbit（RAM）		闪光，ram	16m x 16,8m x 16	平行线	-
MT55V512V36FT-10	17.3600	RFQ	620	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT53B256M32D1NK-062 XT ES：C TR	-	RFQ	7854	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MTFC128GAJAECE-AIT TR	-	RFQ	2196	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC128	闪存-NAND	-	169-LFBGA（14x18）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT29F4G08ABBDAHC-AIT：D Tr	-	RFQ	6665	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F1T08EBLCHD4-QA：c	20.9850	RFQ	4155	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QA：c			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²