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内存（（10402）

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mtfc8glvea-4m it tr	-	RFQ	6018	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
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MT40A512M8RH-075E IT：b tr	-	RFQ	3452	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
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MT54V512H36EF-5	19.3000	RFQ	22	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	2.2 ns	SRAM	512k x 36	HSTL	-
EDFM432A1PH-GD-FD	-	RFQ	4341	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	-	EDFM432	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	800 MHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	平行线	-
MT53E384M32D2DS-046 AIT：e	-	RFQ	6483	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-046AIT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
mtfc4gacajcn-1m wt tr	-	RFQ	7470	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²