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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
mtfc128gavattc-ait	56.1900	RFQ	7693	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC128GAVATTC-AIT			1
MT53B384M64D4NK-062 wt：b tr	-	RFQ	3786	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT58L512L18PS-6	-	RFQ	9880	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L512L18	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT29F128G08CECGBJ4-5M：g	-	RFQ	9709	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT49H16M18BM-5：b	-	RFQ	7640	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	200 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
MT40A1G8WE-075E：D Tr	-	RFQ	7878	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT25QU01GBBB8E12-0AUT	24.6000	RFQ	1	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU01	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT25QL128ABB1ESE-0AUT	5.9500	RFQ	3	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	133 MHz	非易失性	128mbit	5 ns	闪光	16m x 8	spi	1.8ms
MT46V256M4TG-75：A Tr	-	RFQ	8815	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
MT44K64M18RB-107E：a	64.4550	RFQ	3877	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	933 MHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
MT29F4G08ABADAWP-AATX：d	7.6100	RFQ	353	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT62F768M64D4EK-026 wt：b tr	34.2750	RFQ	5784	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-026WT：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT53E512M32D1ZW-046 AIT：b	14.7000	RFQ	5366	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
MT62F768M64D4EK-023 FAAT：b	47.8950	RFQ	1427	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT53D1G64D8NW-046 WT ES：e	-	RFQ	2632	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G64	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT48LC8M16A2P-75：G。	-	RFQ	7163	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT46V32M16TG-75E：c	-	RFQ	3398	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	-	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
M29W640GL70NA6E	-	RFQ	4325	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
M36L0R705050B4ZAQF TR	-	RFQ	9309	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				M36L0R7050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500
EDFM432A1PF-GD-FD	-	RFQ	2571	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	-	EDFM432	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,680	800 MHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	平行线	-
MT29F32G08ABCDBJ4-6：d	-	RFQ	6569	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT53E384M32D2DS-046 AIT：e	-	RFQ	6483	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-046AIT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT40A1G16TB-062E：f tr	13.5900	RFQ	9072	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A1G16TB-062E：ftr	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1.5 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MT55L256V32PT-6IT	14.9900	RFQ	47	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR	40.9200	RFQ	7633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT29F256G08EECDBJ4-5M：D Tr	-	RFQ	3349	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F32G08AFABAWP：b	-	RFQ	4207	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F4G01ABAFD12-ITS：f	-	RFQ	3569	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT46V64M8TG-5B IT：j	-	RFQ	1835年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0028	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E256M32D2FW-046 AIT：b tr	14.0850	RFQ	9501	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M32D2FW-046AIT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	平行线	18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²