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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
EDF8164A3PK-JD-FD	-	RFQ	1829年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDF8164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT29F4G16ABCWC：c tr	-	RFQ	5341	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT29F4G08ABADAWP-IT：D Tr	6.6000	RFQ	202	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT49H32M18CSJ-18：b	-	RFQ	5486	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT45W4MW16PFA-70 WT TR	-	RFQ	7008	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
MT29E1HT08EMHBBJ4-3：b tr	-	RFQ	1499年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E1HT08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1.5Tbit		闪光	192g x 8	平行线	-
MT41J64M16LA-187E：b tr	-	RFQ	6343	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-FBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x15.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT53B2DBNP-DC	-	RFQ	3218	微米技术公司	-	托盘	过时的		表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4		200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,360		易挥发的			德拉姆
MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q	-	RFQ	5161	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	168-VFBGA	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,008	933 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
MT48LC16M16A2P-7E IT：G Tr	-	RFQ	2792	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
PF48F3000P0ZBQ0A	-	RFQ	5658	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	88-TFBGA，CSPBGA	48F3000P0	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-SCSP （8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1	-	RFQ	5535	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT：d	-	RFQ	7696	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-TBGA（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	167 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT46H64M32LFCX-5 AIT：b	-	RFQ	8974	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT47H64M8B6-37E IT：D Tr	-	RFQ	6607	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	易挥发的	512Mbit	500 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR：D Tr	-	RFQ	8718	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	166 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT46H64M32LFCX-5 IT：b tr	-	RFQ	9265	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MTEDFBR8SCA-1P2IT	-	RFQ	1195	微米技术公司	-	管子	积极的				MTEDFBR8				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	150
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ：c	-	RFQ	8779	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT28F400B5WG-8	-	RFQ	8753	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28F400B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	80ns
MT25QL256ABA8E12-1SAT	-	RFQ	2708	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
M58LT128HSB8ZA6E	-	RFQ	3057	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-LBGA	M58LT128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	80-LBGA（10x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M58LT128HSB8ZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	816	52 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
EDB5432BEPA-1DIT-FR TR	-	RFQ	7586	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	EDB5432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	533 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT	-	RFQ	5175	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	64m x 16（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53E1G16D1FW-046 AAT：A TR	15.9600	RFQ	3441	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G16D1FW-046AAT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
MT62F2G32D4DS-023 FAAT：c tr	63.8550	RFQ	5621	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F2G32D4DS-023FAAT：CTR			2,000
NAND16GW3D2BN6E	-	RFQ	1217	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-nand16gw3d2bn6e	3A991B1A	8542.32.0051	96		非易失性	16Gbit	25 ns	闪光	2G x 8	平行线	25ns
MT29F4G01ABAFDWB-IT：f	-	RFQ	6253	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-mt29f4g01abafdwb-it：ftr	3A991B1A	8542.32.0071	1,560		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT41K512M8DA-107 V：P TR	7.4400	RFQ	8442	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT46H32M16LFBF-6：c tr	-	RFQ	4945	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²