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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT	-	RFQ	5806	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR	-	RFQ	5490	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29VZZZAD8				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
MT41J64M16JT-15E AAT：G Tr	-	RFQ	8800	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT41K256M8DA-107 IT：k tr	-	RFQ	7395	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT41K256M8HX-15E：d	-	RFQ	8835	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT47H128M8HQ-187E：E TR	-	RFQ	9272	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
EDW2032BBBG-6A-FR TR	-	RFQ	4398	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW2032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	1.5 GHz	易挥发的	2Gbit		内存	64m x 32	平行线	-
MT58L256L36PT-7.5	15.6400	RFQ	29	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
M29F400FT55M3T2 TR	-	RFQ	8397	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
ECF440AACCN-P4-Y3	-	RFQ	8222	微米技术公司	-	大部分	过时的				ECF440				-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1
MT40A256M16GE-083E AAT：b	-	RFQ	1175	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,020	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT40A512M16TB-062E：r tr	6.0000	RFQ	1499年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A512M16TB-062E：RTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MTFC64GBCAQTC-AAT	35.1800	RFQ	4179	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC64GBCAQTC-AAT			1,520
MT28F320J3BS-11 Met Tr	-	RFQ	5914	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F320J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	-
MT25QL01GBBB8E12-0SIT	18.0400	RFQ	287	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT53D384M32D2DS-053 AAT：e tr	-	RFQ	4235	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV	-	RFQ	8145	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES：e	-	RFQ	5519	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D1G64	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT29E512G08CKCCBH7-6：c tr	-	RFQ	5665	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29E512G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29F4G01AAADDHC：d	-	RFQ	6920	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT40A1G16KNR-075 IT：e tr	23.9400	RFQ	3355	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-				557-MT40A1G16KNR-075IT：ETR			2,000	1.333 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR	-	RFQ	4227	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29F1T08EELEEJ4-R：E TR	21.4500	RFQ	7294	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-vbga		Flash -nand（tlc）	2.6v〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F1T08EELEEEEJ4-R：ETR			2,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H Tr	-	RFQ	7364	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	168-VFBGA				168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT53D384M32D2DS-046 AAT：e	-	RFQ	8977	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT41K512M16HA-107G：a	-	RFQ	7600	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
MT49H8M36BM-25E：b tr	-	RFQ	6654	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
MT46H32M32LFCG-5 IT：a	-	RFQ	9409	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	152-VFBGA（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
mtfc16gakaena-4m	-	RFQ	5346	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110	-	RFQ	5534	微米技术公司	-	托盘	积极的				MT29AZ2				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110			1,560

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²