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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT41J128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-125:G。 -
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-fbga(8x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit DRAM 128m x 8 平行线 -
MTFC32GAPALNA-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-aat 34.6800
RFQ
ECAD 760 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 上次购买 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M16D1NK-062 WT ES:b -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 6Gbit DRAM 384m x 16 - -
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T:f tr -
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps DRAM 32m x 16 平行线 15ns
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075:E TR 6.0000
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ECAD 9675 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit DRAM 1G x 8 平行线 -
M58LT256KST7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KST7ZA6E -
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ECAD 4120 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M58LT256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 16m x 16 平行线 70NS
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
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ECAD 1521年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 M36W0R6050 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
N25Q128A31EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A31EF840F TR -
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ECAD 7390 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q128A31 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 4,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J -
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ECAD 4663 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA MT29GZ5A5 flash -nand,dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA(8x9.5) - 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1866 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),4Gbit(LPDDR4) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpddr4) 平行线 -
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAUT-FD -
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ECAD 6487 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 134-VFBGA EDB5432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-vfbga(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,680 533 MHz 易挥发的 512Mbit DRAM 16m x 32 平行线 -
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3:D Tr -
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ECAD 7809 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps DRAM 64m x 8 平行线 15ns
MT40A2G8FSE-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-083E:a tr -
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ECAD 3596 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 16Gbit DRAM 2G x 8 平行线 -
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 T tr -
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ECAD 3459 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) MT28F400B5 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 4Mbit 80 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 80ns
MT53B1DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B1DATG-DC -
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ECAD 6798 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 sdram- lpddr4 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960 易挥发的 DRAM
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-12:a -
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ECAD 4229 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA MT61K256 sgram -gddr6 1.31v〜1.39v 180-FBGA(12x14) 下载 Ear99 8542.32.0071 1,260 1.5 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MTFC16GJTEC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjtec-it tr -
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ECAD 1805年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT28EW512ABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LJS-0AAT -
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28EW512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 512Mbit 105 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 60ns
MTFC128GAOANEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt tr -
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ECAD 4854 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - MTFC128 闪存-NAND - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 -
RFQ
ECAD 3924 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - 1
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4NZ-046 wt:a tr -
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ECAD 2524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 到达不受影响 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit DRAM 768m x 64 - -
N25W128A11EF740F TR Micron Technology Inc. N25W128A11EF740F TR -
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ECAD 4635 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25W128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi -
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 wt:e tr -
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ECAD 6225 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit DRAM 384m x 32 - -
MT25QU128ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0SIT 4.4800
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ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G TR: -
RFQ
ECAD 6469 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:GTR 过时的 2,000
MT48LC64M4A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-6A:G。 -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC64M4A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns DRAM 64m x 4 平行线 12ns
MT47H16M16BG-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-37E:b tr -
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ECAD 7262 0.00000000 微米技术公司 - (CT) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-fbga(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 易挥发的 256Mbit 500 ps DRAM 16m x 16 平行线 15ns
M50FW080NB5TG TR Micron Technology Inc. M50FW080NB5TG TR -
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) M50FW080 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 32-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 非易失性 8mbit 250 ns 闪光 1m x 8 平行线 -
N25Q128A11E1240E Micron Technology Inc. N25Q128A11E1240E -
RFQ
ECAD 9499 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-1558 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 wt:e tr -
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ECAD 6816 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit DRAM 512m x 32 - -
N25Q128A13ESEC0G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0G -
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ECAD 8290 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

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