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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MT46V32M16BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 IT:f tr -
RFQ
ECAD 6533 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M29W256GH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS6E -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA M29W256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 70NS
NAND512R3A2CZA6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2CZA6E -
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-TFBGA Nand512 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND512R3A2CZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 210 非易失性 512Mbit 50 ns 闪光 64m x 8 平行线 50ns
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 wt:d -
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53B1G64 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT29F8T08EULCHD5-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-QA:c tr 167.8050
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F8T08EULCHD5-QA:CTR 2,000
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBK7-6:b tr -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 wt:d -
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
EDFB164A1PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 6746 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
MT41K256M16TW-107 V:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 V:p -
RFQ
ECAD 4914 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12:b tr -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT58L512L18FT-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FT-10 14.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 wt:b 34.2750
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR -
RFQ
ECAD 7988 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F4G08ABADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP:d 5.6000
RFQ
ECAD 593 0.00000000 微米技术公司 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR -
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) MT25QU128ABA1ESE-MSITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MTFC4GACAJCN-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-1m wt tr -
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC - 未行业行业经验证
MT29F4T08EULCEM4-R:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EULCEM4-R:c -
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F4T08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V - - 557-MT29F4T08EULCEM4-R:c 过时的 8542.32.0071 1,120 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 平行线 -
EDFP264A2PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 5451 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFP264 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 平行线 -
MT41K2G4TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-125:e tr -
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 13.5 ns 德拉姆 2G x 4 平行线 -
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:g tr 17.6850
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:GTR 2,000
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBL05B3WC1 -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MTFC256GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc256gazaotd-ait 90.5250
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTFC256GAZAOTD-AIT 1
RC28F256P30TFA Micron Technology Inc. RC28F256P30TFA -
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA RC28F256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 864 52 MHz 非易失性 256Mbit 100 ns 闪光 16m x 16 平行线 100ns
M29W160EB70N3E Micron Technology Inc. M29W160EB70N3E -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 576 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行线 70NS
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT ES:c -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
PC28F128P33BF60D Micron Technology Inc. PC28F128P33BF60D -
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F128 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 非易失性 128mbit 60 ns 闪光 8m x 16 平行线 60ns
MT52L256M32D1PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-093 WT:b -
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 178-VFBGA MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V 178-fbga(11.5x11) 下载 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,890 1067 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MTFC4GACAANA-4M IT Micron Technology Inc. mtfc4gacaana-4m it -
RFQ
ECAD 5250 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
PC28F640P30T85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P30T85B TR -
RFQ
ECAD 9432 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F640 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
M29W640GT60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GT60ZA6E -
RFQ
ECAD 5784 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 187 非易失性 64mbit 60 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    15,000 m2

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