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MT41K512M16HA-125：A TR	-	RFQ	3887	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
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MT48H4M16LFB4-75：h	-	RFQ	7536	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
M29W640GSL70ZS6F TR	-	RFQ	8643	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
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mtfc4glmdq-ait a tr	-	RFQ	2417	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc4	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC4GLMDQ-AITATR			2,000	52 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
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MT41K256M8DA-107：k	-	RFQ	7640	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4	-	RFQ	6350	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
mtfc8gacaens-k1 ait tr	-	RFQ	1461	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT29F128G08CBECBH6-12：c	-	RFQ	2669	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²