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内存（（10402）

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MT53D1536M64D8EG-046 wt：a	-	RFQ	6779	微米技术公司	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53D1536M64D8EG-046WT：a	过时的		1,360
MT52L256M64D2QA-125 XT：b	-	RFQ	5805	微米技术公司	-	大部分	过时的	-	-	-	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
NAND256WA0BZA6E	-	RFQ	8126	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	55-TFBGA	Nand256	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	55-VFBGA（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,518		非易失性	256Mbit	50 ns	闪光	32m x 8	平行线	50ns
MT48LC16M16A2B4-7E：g tr	-	RFQ	6643	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT29F4G16ABAEAH4：e	-	RFQ	9942	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
M25PX80-VMP6TGY0 TR	-	RFQ	5101	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
M25P40-VMP6G	-	RFQ	2494	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	294	50 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
mtfc16gjvec-it	-	RFQ	2274	微米技术公司	E•MMC™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT28EW512ABA1LPC-0AAT	-	RFQ	5023	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT25QL512ABB8ESF-0SIT TR	10.8000	RFQ	7	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
MTFC4GLVEA-0M WT TR	-	RFQ	6168	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR	-	RFQ	1927年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MTFC128GaoAmea-wt es tr	-	RFQ	7523	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MTFC128	闪存-NAND	-	-	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
M25PX80-VMP6TGT0 TR	-	RFQ	1702	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
M29F040B70K1	-	RFQ	9638	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
MT29F2G16ABBEAH4：e	-	RFQ	5281	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT48LC16M8A2TG-7E：G Tr	-	RFQ	6589	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	14ns
MT29F2G01ABBGDWB-IT：g tr	2.8500	RFQ	27	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F2G01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MTFC32GJGDQ-AIAT Z tr	-	RFQ	2209	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
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MTFC128GBCAQTC-AAT	62.4100	RFQ	2118	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC128GBCAQTC-AAT			1,520
MT46V16M8TG-75：D Tr	-	RFQ	4763	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	750 PS	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT：d	-	RFQ	7298	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT29F32G08AECCBH1-10Z：c	-	RFQ	5972	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F2G01ABBGD12-AUT：G。	3.2005	RFQ	3418	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2G01ABBGD12-AUT：g			1
MT47H32M16HR-3：f	-	RFQ	1167	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1466	Ear99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
mtfc32gjgef-ait z tr	-	RFQ	2762	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT47H128M8SH-25E AAT：m tr	-	RFQ	9817	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		MT47H128M8SH-25EAAT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
mtfc128gaoanea-wt tr	-	RFQ	4854	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MTFC128	闪存-NAND	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT46V64M8BN-6：f tr	-	RFQ	1776年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²