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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT47H64M16HR-187E：h	-	RFQ	8895	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit	350 PS	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR	-	RFQ	6451	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT55L256L36PT-10	8.2400	RFQ	82	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F64G08CFACAWP：c	-	RFQ	1215	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT48LC64M8A2TG-75 IT：c	-	RFQ	2345	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC64M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响	MT48LC64M8A2TG-75 IT：C-ND	Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT62F1G64D4EK-026 wt：c	68.0400	RFQ	1652	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F1G64D4EK-026WT：c			1
MT48H16M32LFB5-6 IT：c tr	7.6400	RFQ	9734	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
M58LR128KB70ZB5F TR	-	RFQ	7105	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58LR128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	128mbit	70 ns	闪光	8m x 16	平行线	70NS
MT41K256M16TW-107 AAT：p	6.9134	RFQ	7475	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT29F2T08CTCBJ7-6C：b	-	RFQ	9511	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT52L768M32D3PU-107 wt：b tr	-	RFQ	6886	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	MT52L768	sdram- lpddr3	1.2V	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
M25P16-VME6G	-	RFQ	6982	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,920	75 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	spi	15ms，5ms
MT49H16M18SJ-25 IT：b	-	RFQ	6530	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR	-	RFQ	6499	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F4G16ABADAWP-AIT：d	-	RFQ	9624	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT53D512M64D4SB-046 XT：d tr	-	RFQ	3686	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
EDF8132A3PF-GD-FR TR	-	RFQ	9408	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDF8132	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
MT41J128M8JP-15E AIT：G Tr	-	RFQ	3011	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J128M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	128m x 8	平行线	-
M29W064FB6AZA6F TR	-	RFQ	5165	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	64mbit	60 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
NAND256R3A2BZA6E	-	RFQ	1702	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	55-TFBGA	Nand256	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	55-VFBGA（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,518		非易失性	256Mbit	50 ns	闪光	32m x 8	平行线	50ns
MT53D512M32D2DS-053 AAT：D Tr	19.1100	RFQ	9882	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT53B512M32D2GZ-062 WT：b tr	-	RFQ	1973	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（11x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT25QU128ABB8E12-0AUT TR	4.3247	RFQ	4763	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29F64G08CBCGBSX-37B：g tr	-	RFQ	4434	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	267 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT45W2MW16PAFA-70 wt	-	RFQ	9840	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W2MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
MT41K128M8DA-107：J Tr	5.0100	RFQ	214	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K128M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	-
MT29F8G08BABAWP-IT：b	-	RFQ	3375	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
N25Q128A31EF840F TR	-	RFQ	7390	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A31	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	4,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ：a	-	RFQ	4619	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29F4G16ABBFAH4-AAT：f	3.8912	RFQ	3346	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT：f		8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²