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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT28FW01GABA1HPC-0AAT	-	RFQ	4747	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28FW01	闪光灯 -也不	1.7v〜3.6V	64-lbga（11x13）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
M29F400FT55M3T2 TR	-	RFQ	8397	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
MT42L32M32D2AC-25 AAT：a	-	RFQ	7052	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L32M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	32m x 32	平行线	-
MT58L1MY18FT-6.8	31.1000	RFQ	11	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.8 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
N25Q064A13ESFH0E	-	RFQ	4089	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	240	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT53B2DANP-DC	-	RFQ	2950	微米技术公司	-	大部分	过时的		-	-		sdram- lpddr4		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,360		易挥发的			德拉姆
JS28F256J3F105A	-	RFQ	9844	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F256J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0071	576		非易失性	256Mbit	105 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	105ns
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES：d	-	RFQ	7492	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT47H128M8HQ-3：G Tr	-	RFQ	7401	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	6（6）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT51J256M32HF-60：A TR	-	RFQ	1880年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31v〜1.39v，1.46V〜1.55V	170-FBGA（12x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	1.5 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR	-	RFQ	3295	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
PC48F4400P0VB0EF TR	-	RFQ	7095	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-LBGA	PC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT46V16M16BG-6：f	-	RFQ	7731	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x14）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT48H16M32LFCM-75：b tr	-	RFQ	3073	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT53B1DATG-DC	-	RFQ	6798	微米技术公司	-	盒子	过时的					sdram- lpddr4			-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	960		易挥发的			德拉姆
MT29F16G08ABCCBH1-AAT：c	33.8100	RFQ	874	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F16G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT：c	3A991B1A	8542.32.0071	1,120		非易失性	16Gbit	20 ns	闪光	2G x 8	onfi	20NS
MT58L256L36PT-7.5	15.6400	RFQ	29	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F512G08EEHAFJ4-3R：a	-	RFQ	1516年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT	-	RFQ	8399	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C2G24	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	2Gbit（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 16（NAND），64m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
M29F800DT70N6	-	RFQ	4038	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT29F1G08ABAEAWP-AATX：e tr	3.7300	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT53E2G32D4DT-046 WT ES：A TR	96.1650	RFQ	1726年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-			到达不受影响	557-MT53E2G32D4DT-046WTES：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT40A256M16GE-083E AUT：b	-	RFQ	1223	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,020	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
M29W160ET70ZA6F TR	-	RFQ	5676	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS
MT46H64M32LFKQ-5 IT：c	-	RFQ	5935	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,008	167 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT48V8M16LFB4-8 XT：g tr	-	RFQ	2152	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-20°C〜75°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT46H128M32L2KQ-48 wt：c	-	RFQ	9972	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H128M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,008	208 MHz	易挥发的	4Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 32	平行线	14.4ns
mtfc8gamalbh-ait tr	10.1550	RFQ	3894	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT29F1G08ABBEAHC-IT：e	-	RFQ	5555	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT46V32M16BN-75 IT：c	-	RFQ	4018	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	-	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²