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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR	-	RFQ	4539	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA	MT35XL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT35XL512ABA2G12-0SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	XCCELA巴士	-
MT40A1G8SA-062E AAT：e tr	10.1250	RFQ	7005	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A1G8SA-062EAAT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	DRAM	1G x 8	平行线	15ns
MT40A2G4SA-062E：J Tr	-	RFQ	5959	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT40A2G4SA-062E：JTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	DRAM	2G x 4	平行线	15ns
MT41K512M8DA-107 IT：p tr	5.7000	RFQ	9214	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K512M8DA-107IT：PTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	DRAM	512m x 8	平行线	15ns
MT57W1MH18CF-4	30.4500	RFQ	587	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
MT58L256L36FT-10	15.6400	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT55L512L18FT-12	15.6400	RFQ	1	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	83 MHz	易挥发的	8mbit	9 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT55V512V36PT-7.5	17.3600	RFQ	495	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	2.375V〜2.625V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT55V512V36PF-6	17.3600	RFQ	284	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT55V512V	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT55L512Y36FT-11	18.6700	RFQ	1	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT54W512H36BF-7.5	23.6300	RFQ	170	微米技术公司	QDR®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	512k x 36	HSTL	-
MT58L64L32FT-10	3.7900	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L64L32	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	66 MHz	易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
MT58L512Y36DT-10	18.9400	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT58L256L36PT-7.5	15.6400	RFQ	29	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT58L64L18FT-8.5	5.4600	RFQ	12	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L64L18	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	1Mbit	8.5 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT55V1MV18PT-10	17.3600	RFQ	282	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V1MV	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT58L128L36P1F-5	7.7500	RFQ	416	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT58L128L36	SRAM	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4Mbit	2.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT57W2MH8CF-4	28.3700	RFQ	1	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	2m x 8	HSTL	-
MT58L256L36DS-6	8.5300	RFQ	24	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L256L36	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT58L256L18F1T-10IT	6.5800	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT58L128L32P1F-10	7.5200	RFQ	256	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT58L256L36PS-7.5	10.4200	RFQ	69	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT58L256L18P1T-7.5	5.9300	RFQ	7	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L1MY18	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT58L32L36FT-10	6.6200	RFQ	4	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	32k x 36	平行线	-
MT58L64L36PT-7.5	4.2600	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
MT58V512V32FT-7.5	18.7900	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	2.375V〜2.625V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit		SRAM	512K x 32	平行线	-
MT58L32L32PT-6	10.9700	RFQ	38	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	500	166 MHz	易挥发的	1Mbit	3.5 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
MT58L64L18PT-7.5	8.0800	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L64L18	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	1Mbit	4.2 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT57W512H36JF-5	28.0100	RFQ	262	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT57W512H	SRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT55L256V32PT-7.5	8.9300	RFQ	345	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²