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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT40A4G4DVN-068H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H:e -
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 557-MT40A4G4DVN-068H:e 过时的 210 1.467 GHz 易挥发的 16Gbit 27 NS DRAM 4G x 4 平行线 -
MT40A4G4DVN-075H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-075H:e -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 557-MT40A4G4DVN-075H:e 过时的 210 1.33 GHz 易挥发的 16Gbit 27 NS DRAM 4G x 4 平行线 -
MT58L128L32D1F-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32D1F-6 8.2200
RFQ
ECAD 1583年 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT58L128L32 SRAM 3.135v〜3.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 4Mbit 3.5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
MT54V1MH18EF-7.5 Micron Technology Inc. MT54V1MH18EF-7.5 -
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 微米技术公司 QDR® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 2.4v〜2.6V 165-FBGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 HSTL -
MT57V512H36AF-7.5 Micron Technology Inc. MT57V512H36AF-7.5 17.3600
RFQ
ECAD 41 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 2.4v〜2.6V 165-FBGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 3.6 ns SRAM 512k x 36 HSTL -
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAWP-AIT:f 11.6600
RFQ
ECAD 999 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAWP-AAT:f 12.8500
RFQ
ECAD 241 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AAT:f 5.3900
RFQ
ECAD 564 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT:f 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D4G16D8AL-062 wt:e tr -
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ECAD 3057 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53D4G16 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53D4G16D8AL-062WT:ETR 过时的 2,000 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit DRAM 4g x 16 - -
MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR -
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ECAD 4559 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E1536 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E1536M32D4DT-046AIT:ATR 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit DRAM 1.5GX 32 - -
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT:b tr 14.0850
RFQ
ECAD 3984 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M32D2DS-053AIT:BTR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 8Gbit DRAM 256m x 32 - -
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 wt:e tr -
RFQ
ECAD 5803 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) MT53E384M32D2DS-046WT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit DRAM 384m x 32 - -
MTFC4GACAJCN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-4m it tr -
RFQ
ECAD 7863 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) mtfc4gacajcn-4mittr 过时的 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:a 38.9700
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,120 333 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:e 45.0150
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,120 267 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J 9.9000
RFQ
ECAD 6525 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 MT29GZ5 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,260
MT53D512M32D2DS-046 IT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 IT:d 19.0000
RFQ
ECAD 1723年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53D512M32D2DS-046IT:d Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit DRAM 512m x 32 - -
MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AIT:a -
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E1536 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E1536M32D4DT-046AIT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit DRAM 1.5GX 32 - -
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 wt:a -
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E1G64 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E1G64D4SQ-046WT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit DRAM 1G x 64 - -
MT53E256M16D1DS-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 wt:b 10.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M16D1DS-046WT:b Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit DRAM 256m x 16 - -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AUT:b 17.8200
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 上次购买 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M32D2DS-046AUT:b Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit DRAM 256m x 32 - -
MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT:b 16.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M32D2DS-046IT:b Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit DRAM 256m x 32 - -
MT53E512M64D4NK-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NK-046 wt:d -
RFQ
ECAD 6171 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53E512 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E512M64D4NK-046WT:d 过时的 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit DRAM 512m x 64 - -
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AAT: -
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ECAD 7367 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E768M64D4SQ-046AAT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit DRAM 768m x 64 - -
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT: -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E768M64D4SQ-046AIT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit DRAM 768m x 64 - -
MTFC64GAPALBH-IT Micron Technology Inc. mtfc64gapalbh-it -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-TFBGA MTFC64 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MTFC8GACAALT-4M IT Micron Technology Inc. mtfc8gacaalt-4m it -
RFQ
ECAD 6301 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) MTFC8GACAALT-4MIT 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 1.8ms
MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AAT:f tr 3.8498
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F4G08ABBFAH4-AAT:ftr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAWP-AIT:f tr 8.4150
RFQ
ECAD 1181 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F8G08ADAFAWP-AIT:ftr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库