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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E IT:D Tr -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-3 IT:D Tr -
RFQ
ECAD 8812 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E IT:b tr -
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CQCBBG2-6R:b tr -
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 272-LFBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 272-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-aat es tr -
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ECAD 1155 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA MTFC128 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
MT46V32M16P-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B:f tr -
RFQ
ECAD 1051 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT:b tr -
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ECAD 9146 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT:BTR 1 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 32 平行线 18NS
MT29F2G08AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AABWP-ET TR -
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ECAD 6677 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​ Q-053 wt es:e -
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ECAD 7815 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 556-VFBGA MT53D1G64 sdram- lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
N25Q032A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q032A13E1240E -
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ECAD 8014 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
M25P40-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TP TR -
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ECAD 6316 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,5ms
MT47H64M16HR-25 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT:h tr -
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ECAD 8404 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT53D512M32D2DS-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 wt:d -
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) MT53D512M32D2DS-046WT:d Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3:E TR -
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ECAD 8249 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7 IT:G Tr -
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 14ns
N25Q128A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESF40F TR -
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
N25Q512A83G12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G12A0F TR -
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q512A83 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500 108 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 128m x 4 spi 8ms,5ms
N25Q032A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11EF640F TR -
RFQ
ECAD 1516年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q032A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT25QU256ABA8E55-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E55-0SIT TR 6.4700
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ECAD 5 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 23-XFBGA,WLBGA MT25QU256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 23-XFWLBGA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT46V256M4TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T:a tr -
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ECAD 9169 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 易挥发的 1Gbit 700 ps 德拉姆 256m x 4 平行线 15ns
ECF620AAACN-C2-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C2-Y3-ES -
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ECAD 1252 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 ECF620 - 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 IT TR -
RFQ
ECAD 1640年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC8M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 14ns
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 TR -
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ECAD 9416 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H8M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,000 83 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKEABH7-12IT:a tr -
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ECAD 9080 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
M25P10-AVMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6TP TR -
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ECAD 8910 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P10 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 15ms,5ms
MT53D1536M32D6BE-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-053 wt:d -
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ECAD 5409 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D1536 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 1.5GX 32 - -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES:b -
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ECAD 6937 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96Maybackd-5 wt tr -
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) 平行线 -
MT53B256M64D2NV MS Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV MS -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,540 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库