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![]() | MT25QU256ABA8E55-0SIT TR | 6.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 23-XFBGA,WLBGA | MT25QU256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 23-XFWLBGA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
![]() | MT46V256M4TG-6T:a tr | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V256M4 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 700 ps | 德拉姆 | 256m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | ECF620AAACN-C2-Y3-ES | - | ![]() | 1252 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | ECF620 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR | - | ![]() | 1640年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 14ns | |||
![]() | MT49H8M36FM-25 TR | - | ![]() | 9416 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR | - | ![]() | 3137 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 83 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F512G08CKEABH7-12IT:a tr | - | ![]() | 9080 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | ||||
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![]() | MT53D1536M32D6BE-053 wt:d | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D1536 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 32 | - | - | |||
![]() | MT53B384M32D2NK-062 WT ES:b | - | ![]() | 6937 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29C4G96Maybackd-5 wt tr | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 137-TFBGA | MT29C4G96 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) | 闪光,ram | 512m x 8 nand),128m x 32 lpdram) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B256M64D2NV MS | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,540 | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - |
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