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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F32G08AFABAWP-IT：b tr	-	RFQ	6557	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT49H32M18BM-25：b tr	-	RFQ	4817	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
M29W640GL70NA6F TR	-	RFQ	9035	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT40A1G16TB-062E IT：f	14.9550	RFQ	8827	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A1G16TB-062EIT：f	3A991B1A	8542.32.0071	1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MT41J256M8DA-093：k tr	-	RFQ	9579	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.066 GHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e tr	13.2450	RFQ	7551	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：ETR			2,000
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT：D Tr	-	RFQ	9769	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	83 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT46V32M8P-6T：g tr	-	RFQ	8461	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
MT48LC16M16A2B4-6A：g tr	5.6850	RFQ	3654	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT47H16M16BG-3E：b	-	RFQ	8756	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-FBGA	MT47H16M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-fbga（8x14）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
mtfc16gakaeef-at	-	RFQ	5962	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT61K512M32KPA-14：c tr	25.3500	RFQ	9725	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	180-TFBGA		sgram -gddr6	1.3095V〜1.3905V	180-FBGA（12x14）	-				557-MT61K512M32KPA-14：CTR			2,000	7 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	POD_135	-
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R	8.1100	RFQ	1467	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R			1
MT52L256M32D1PD-107 WT ES：B TR	-	RFQ	6423	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT29F256G08CECEBJ4-37Itres：e tr	-	RFQ	1306	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	2,000	267 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
M50FW040K5G	-	RFQ	3337	微米技术公司	-	管子	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M50FW040	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32	33 MHz	非易失性	4Mbit	250 ns	闪光	512k x 8	平行线	-
EDB2432B4MA-1DAUT-FD	-	RFQ	7856	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB2432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	-
MTC4C10163S1SC56BG1	50.6850	RFQ	4685	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTC4C10163S1SC56BG1			1
MT58L256V36PS-6 Tr	5.9800	RFQ	6	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	100	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT41K128M16JT-17：k	-	RFQ	3188	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,368		易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29F1G16ABBEAH4：e tr	-	RFQ	9086	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
EDB4064B4PB-1DIT-FR	-	RFQ	8793	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB4064	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	64m x 64	平行线	-
MT53E512M64D2NW-046 IT：b	-	RFQ	8123	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	432-VFBGA	MT53E512			432-VFBGA（15x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M64D2NW-046IT：b			1,360
MT29F4T08GLLCEG7-QB：c	78.1500	RFQ	9217	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08GLLCEG7-QB：c			1
MT29F2G01AAAEDH4：e	-	RFQ	1894年	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F	-	RFQ	8666	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29VZZZ8				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
N25Q128A13E1441F TR	-	RFQ	2406	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR：D	-	RFQ	7523	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	166 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F1G08ABADAH4-ITE：D TR	-	RFQ	6982	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT53B512M32D2DS-062 XT：c	-	RFQ	2353	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²