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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT47H64M16BT-37E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16BT-37E:a -
RFQ
ECAD 4127 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜85°C(TC) 表面安装 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA(11x19) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT48V8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-10 IT -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) - Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 易挥发的 256Mbit 7 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G 2.0207
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -mt29f2g08abagah4-ite:gtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-10Z:a -
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FR TR -
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ECAD 6262 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA EDB1332 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-vfbga(10x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 -
PC28F128P30T85B TR Micron Technology Inc. PC28F128P30T85B TR -
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ECAD 6284 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R -
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ECAD 8826 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F256G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1 333 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT:c tr -
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ECAD 9581 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT48LC4M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75:G。 -
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ECAD 2332 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT48LC4M16A2P75G Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 15ns
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R Micron Technology Inc. EDFA364A3PD-JDTJ-FR -
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - EDFA364 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 IT:D Tr -
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC32M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
N25Q008A11ESC40F TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40F TR -
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ECAD 2539 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) N25Q008A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 108 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi 8ms,5ms
MT29F32G08CBACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP:c tr -
RFQ
ECAD 9202 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-10:b -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,120 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT41K512M16VRN-107 IT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 IT:p -
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ECAD 1448 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) MT41K512M16VRN-107IT:p Ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125E:A TR -
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ECAD 9729 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-LBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 800 MHz 易挥发的 1.125Gbit 12 ns 德拉姆 32m x 36 平行线 -
MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdm-3l aat z tr -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR -
RFQ
ECAD 7917 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B192 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 易挥发的 6Gbit 德拉姆 192m x 32 - -
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NP-046 XT ES:d -
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ECAD 7802 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜105°C(TC) MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 6Gbit 德拉姆 384m x 16 - -
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E自动:b tr -
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ECAD 8613 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
PC28F512M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHF -
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ECAD 1723年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA PC28F512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 184 非易失性 512Mbit 100 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 100ns
MT41K256M16TW-125:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-125:p -
RFQ
ECAD 4255 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT:b -
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ECAD 1079 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT29F64G08AFAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAWP-Z:a -
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A IT:l tr 8.0250
RFQ
ECAD 6776 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT41K256M16TW-17 XIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-17 XIT:p -
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,020 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 -
EDFP164A3PD-MD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-MD-FD -
RFQ
ECAD 4172 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 - EDFP164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,260 1067 MHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 平行线 -
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 2773 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F8G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT61K256M32JE-12:A TR Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-12:a tr -
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ECAD 5935 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA MT61K256 sgram -gddr6 1.31v〜1.39v 180-FBGA(12x14) 下载 Ear99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MT45W4MW16BBB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-706 WT TR -
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ECAD 1333 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-VFBGA(6x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库