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内存（（10402）

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NAND128W3A0BN6F TR	-	RFQ	9483	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	128mbit	50 ns	闪光	16m x 8	平行线	50ns
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MT48LC16M16A2B4-7E：G。	-	RFQ	6311	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,560	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
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EDB4064B4PB-1D-FD	-	RFQ	5743	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB4064	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	533 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	64m x 64	平行线	-
MT47H128M8HQ-3：E TR	-	RFQ	8249	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1	-	RFQ	6569	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	MT29F1G01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	死	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1		非易失性	1Gbit		闪光	1G x 1	spi	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²