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内存（（10402）

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MT40A2G8AG-062E AUT：f	22.8450	RFQ	7299	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				557-MT40A2G8AG-062EAUT：f			1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
M25PE40-VMN6TP TR	-	RFQ	7737	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25PE40	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，3ms
MT29F4G08ABADAH4-AT：d	-	RFQ	1042	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U	-	RFQ	4244	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29RZ4				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
NAND01GW3B2BZA6E	-	RFQ	6581	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	NAND01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND01GW3B2BZA6E	3A991B1A	8542.32.0051	210		非易失性	1Gbit	30 ns	闪光	128m x 8	平行线	30ns
N25QH32A13EV7A0	-	RFQ	1774年	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
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mtfc64gasaqhd-ait tr	28.4400	RFQ	3189	微米技术公司	汽车，AEC-Q104	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC64GASAQHD-AITTR			2,000	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
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MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8	-	RFQ	6656	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29VZZZ7				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
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MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT	-	RFQ	1551年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
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M28W640HCB70ZB6E	-	RFQ	2430	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M28W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6.39x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	160		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²