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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT48LC8M16LFB4-8 IT：G。	-	RFQ	1816年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT58V512V36FF-7.5	18.7900	RFQ	42	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
mtfc128gaxauea-wt	14.0250	RFQ	1322	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC128GAXAUEA-WT			1
MT28EW01GABA1LPC-0SIT	-	RFQ	3897	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	95 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
MT48LC8M16LFF4-75M IT：G。	-	RFQ	8203	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT41K512M16VRN-107 IT：p	-	RFQ	1448	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT41K512M16VRN-107IT：p	Ear99	8542.32.0036	1,368	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT48LC8M16A2P-7E：G。	-	RFQ	5375	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT48LC8M16A2P7EG	Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	14ns
MT28F320J3BS-11等	-	RFQ	4633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F320J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	-
JS28F640P30T85A	-	RFQ	2719	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F640P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	64mbit	85 ns	闪光	4m x 16	平行线	85ns
MT29RZ4B2DZZHHHHHHHTB-18I.80F	-	RFQ	3570	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	162-VFBGA	MT29RZ4B2	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	162-VFBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit（LPDDR2）		闪光，ram	128m x 32（NAND），64m x 32 lpddr2）	平行线	-
MT29F2G16AABWP TR	-	RFQ	7737	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT45W4MW16BCGB-701 wt	-	RFQ	3704	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
MT48LC16M16A2B4-6A：g tr	5.6850	RFQ	3654	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR	-	RFQ	9249	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC8M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	143 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	14ns
MT53D384M64D4FL-046 XT：e	-	RFQ	7206	微米技术公司	-	盒子	积极的	-30°C〜105°C（TC）			MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V		-			到达不受影响			0000.00.0000	1,120	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
mtfc8gldea-4m it tr	-	RFQ	8117	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc8	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT62F1G64D4EK-026 wt：b	45.6900	RFQ	3874	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-026WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
MT41K256M16TW-107 AAT：p tr	9.6500	RFQ	2	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT40A512M8SA-075：f tr	8.3250	RFQ	1123	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载				557-MT40A512M8SA-075：ftr			2,000	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
MT53B512M64D4NK-053 wt：c	-	RFQ	3004	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
M29W640GH70NA6F TR	-	RFQ	4650	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT49H32M9BM-25：b	-	RFQ	5211	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
ECB130ABDCN-Y3	-	RFQ	6511	微米技术公司	-	大部分	过时的								-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0032	1
MT47H256M8THN-3 IT：h	-	RFQ	1591年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT25QU128ABA1EW9-0SIT	-	RFQ	1	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-wpdfn（8x6）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,920	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT41K256M8DA-125 AAT：k	7.5500	RFQ	4354	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	上次购买	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F1G01AAADDH4：D TR	-	RFQ	2465	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	1G x 1	spi	-
MT46V16M16TG-75 L：F TR	-	RFQ	6116	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
JS48F4400P0TB00A	-	RFQ	3884	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS48F4400P	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96	40 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT40A1G16KNR-075：E TR	21.7650	RFQ	4381	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A1G16KNR-075：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²