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内存（（10402）

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MT29E256G08CECCBH6-6：c	-	RFQ	5447	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29E256G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT40A1G16RC-062E IT：b tr	-	RFQ	9680	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（10x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A1G16RC-062EIT：BTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
mtfc64gapakea-wt	-	RFQ	6282	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
EDFA164A2PB-JD-FR TR	-	RFQ	6800	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
PC28F640P30B85A	-	RFQ	2996	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	64mbit	85 ns	闪光	4m x 16	平行线	85ns
MT48LC4M32B2B5-6A AIT：l	-	RFQ	8006	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,440	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
MT29F1G08ABAEAH4-AITX：e	-	RFQ	4884	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT58L512L18PT-7.5	6.0500	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	5	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR	-	RFQ	4554	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR：c	-	RFQ	4845	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT46V32M16P-5B IT：f tr	-	RFQ	7738	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
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mtfc2gmdea-0m wt a tr	-	RFQ	5093	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC2GMDEA-0MWTATR	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-
MT48LC16M8A2BB-6A：l	-	RFQ	2039	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	12ns
MT28HL16GJBB3ERK-0SCT	-	RFQ	5429	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		960
MT49H32M9SJ-25：b	-	RFQ	4433	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
MT47H32M16HR-25E IT：G tr	-	RFQ	9975	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载		3（168））			Ear99	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT29F2G16ABAGAWP-AIT：G Tr	2.5267	RFQ	3869	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G16ABAGAWP-AIT：GTR		8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
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MT53B256M32D1PX-062 XT：c tr	-	RFQ	9581	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR	8.4750	RFQ	1157	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
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MT29F256G08CECABH6-6：a tr	-	RFQ	1857年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT41K256M8DA-125 AIT：k	-	RFQ	5905	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F4G08ABCWC-ET：c tr	-	RFQ	9872	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT28EW256ABA1HPN-0SIT	-	RFQ	6034	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,560		非易失性	256Mbit	75 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	60ns
MT29F8G16ADBDAH4：d	-	RFQ	3016	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR	-	RFQ	3780	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
M29DW128F70NF6E	-	RFQ	6147	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29DW128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²