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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT41J64M16JT-15E IT：G Tr	-	RFQ	8587	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT41K512M16HA-107：A Tr	-	RFQ	2789	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT41K512M16HA-107：Atr	过时的	0000.00.0000	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
MT46V32M16BN-75 L：c	-	RFQ	7527	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	-	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
mtfc64gazaqhd-ait	38.9100	RFQ	1220	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC64	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC64GAZAQHD-AIT			1		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC	-
MT29F1G08ABAEAWP-ITX：e tr	3.2700	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT52L256M64D2PD-107 XT：b tr	-	RFQ	6340	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	216-WFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	216-FBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES：a	-	RFQ	2371	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,120	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
M29W128GL70ZA6DE	-	RFQ	3428	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	136		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1	-	RFQ	2031	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F1T08CUCABK8-6：A TR	-	RFQ	2549	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
GE28F160C3TD70A	-	RFQ	9799	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	46-VFBGA	GE28F160C3	闪光灯 -引导块	2.7V〜3.6V	46-VFBGA（7.29x6.96）	下载	Rohs不合规	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	250		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	70NS
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR	-	RFQ	8266	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	128mbit	95 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
MT29F4T08EUHBFM4-T：b	-	RFQ	4224	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F4T08	Flash -nand（tlc）	1.7V〜1.95V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F4T08EUHBFM4-T：b	过时的	8542.32.0071	1,120		非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
MT42L192M32D3LE-3 IT：a	-	RFQ	3943	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	MT42L192M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	192m x 32	平行线	-
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT：D Tr	-	RFQ	9769	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	83 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
mtfc16gapalbh-aat	-	RFQ	1589年	微米技术公司	E•MMC™	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT47H64M8SH-25E：h	-	RFQ	4182	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,518	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F64G08CBAAAWP-Z：a tr	-	RFQ	5921	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29F8G16ABACAWP-IT：c tr	-	RFQ	3401	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
N25Q512A11G1240F TR	-	RFQ	9241	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q512A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
MT49H8M36SJ-5：b	-	RFQ	1310	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	200 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
MT29F128G8CBECBH6-12：c tr	-	RFQ	2946	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	152-vbga	MT29F128G8			152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
N25Q512A83G12H0F	-	RFQ	3749	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q512A83	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F512G08EBHAFJ4-3R：a tr	-	RFQ	6420	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R：ATR	过时的	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT58V1MV18FT-7.5	18.7900	RFQ	154	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	2.375V〜2.625V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
MT40A512M8RH-075E自动：b tr	-	RFQ	3329	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT48H4M16LFF4-8	-	RFQ	9903	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
MT29F16G08ADACAH4-IT：c tr	-	RFQ	1052	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
EDB2432B4MA-1DAUT-FD	-	RFQ	7856	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB2432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	-
MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR	12.7200	RFQ	2680	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT38Q40				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64TR		0000.00.0000	2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²