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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F1G01AAADDH4-IT：d	-	RFQ	7575	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	1G x 1	spi	-
MT46H8M32LFB5-75 IT：a tr	-	RFQ	1784年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
NAND02GAH0LZC5E	-	RFQ	8884	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-LFBGA	Nand02g	闪存-NAND	3.135V〜3.465V	153-LFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND02GAH0LZC5E	3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	MMC	-
MT28F004B5VP-8 t	-	RFQ	3245	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F004B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8	平行线	80ns
MT29F1G08ABBEAH4：e	-	RFQ	8265	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT29F512G08CKCCBH7-6R：c tr	-	RFQ	5981	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-QB：c	156.3000	RFQ	4479	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QB：c			1
MT29F16G08AFABAWP：b	-	RFQ	5812	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT28F004B5VG-8 b	-	RFQ	6146	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F004B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8	平行线	80ns
MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 TR	21.4200	RFQ	6157	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT38Q50				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74TR		0000.00.0000	2,000
MT47H64M16NF-25E IT：m tr	3.7664	RFQ	1126	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT47H64M16NF-25EIT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
M29W640GH7ANB6E	-	RFQ	7441	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT41K512M16HA-125 IT：a	-	RFQ	1377年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,020	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
MT53E128M32D2DS-053 AAT：	12.1200	RFQ	2	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
mtfc32ganalea-wt tr	-	RFQ	7114	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				mtfc32g				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
EDF8132A3PB-JD-FR TR	-	RFQ	9538	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	-	EDF8132	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
MT58V512V36DF-7.5	18.7900	RFQ	57	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT29F32G08CBADAL83A3WC1	-	RFQ	8866	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT53E512M16D1FW-046 AIT：d	9.3750	RFQ	9680	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M16D1FW-046AIT：d			1	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	18NS
MT58L512V18PT-6	8.9300	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
M29F400FT55M3F2 TR	-	RFQ	4962	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR	8.4750	RFQ	6072	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT57V1MH18EF-6	23.0000	RFQ	448	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT29F256G08EBHAFJ4-3R：a tr	-	RFQ	4560	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F4G08ABAFAH4-AATE：f tr	-	RFQ	6538	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
N25Q128A13E1241E	-	RFQ	8870	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT53B384M64D4TP-062 XT：c	-	RFQ	9747	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,120	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
EDFP112A3PD-GD-FD	-	RFQ	2861	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	800 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT29F16G08CBACAWP：c tr	-	RFQ	8722	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1	-	RFQ	2488	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-					过时的		1		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²