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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MTFC8GAMALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-ait -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc8 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:c tr 60.5400
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:CTR 2,000
MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR 10.7200
RFQ
ECAD 604 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MT25QU512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-wpdfn(8x6)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi 8ms,2.8ms
NAND02GR3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E -
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ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand02g 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -NAND02GR3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 2Gbit 45 ns 闪光 256m x 8 平行线 45ns
MT29F8G08BAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F8G08BAAWP:A Tr -
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ECAD 4311 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT62F1G64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 wt:b tr 45.6900
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ECAD 5908 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT29F512G08CFCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10:b -
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ECAD 3908 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 960 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR -
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ECAD 7345 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29VZZZBD8 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AAT:f tr 3.8498
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ECAD 1901年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F4G01 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F4G01ABBFD12-AAT:ftr 8542.32.0071 2,000 83 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 4G x 1 spi -
MT53E4D1BHJ-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BHJ-DC TR 22.5000
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ECAD 9778 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT53E4 - 到达不受影响 557-MT53E4D1BHJ-DCTR 2,000
MT58L512Y36DT-10 Micron Technology Inc. MT58L512Y36DT-10 18.9400
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ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT:f -
RFQ
ECAD 8002 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:f 8542.32.0071 210 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT:c tr 94.8900
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
M29W400FB5AN6F TR Micron Technology Inc. M29W400FB5AN6F TR -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
MT58L256L36FT-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L36FT-10IT 17.3600
RFQ
ECAD 447 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
M29W128GL70N6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N6F TR -
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ECAD 1186 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1200 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MT53B128M32D1Z00NWC2 AT Micron Technology Inc. MT53B128M32D1Z00NWC2 AT -
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ECAD 9693 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) MT53B128M32D1Z00NWC2AT 过时的 1 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MTFC128GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-ait tr 40.2300
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR 2,000
M29F400FT5AM6T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT5AM6T2 TR -
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 500 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
M29DW323DB70N6E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6E -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29DW323 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29DW323DB70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 70NS
NAND128W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE -
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ECAD 6249 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand128 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 128mbit 50 ns 闪光 16m x 8 平行线 50ns
MT40A2G8NRE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E:b tr -
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ECAD 1252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 2G x 8 平行线 -
MTFC8GACAENS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaens-ait tr -
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ECAD 5150 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 153-TFBGA mtfc8 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 mtfc8gacaens-aittr 过时的 0000.00.0000 1,000
PC28F256G18AF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18AF TR -
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ECAD 8944 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 96 ns 闪光 16m x 16 平行线 96ns
EDB8132B4PB-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB8132B4PB-8D-FD -
RFQ
ECAD 2010 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 168-WFBGA EDB8132 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 168-FBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,680 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 平行线 -
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAWP-AAT:f 12.8500
RFQ
ECAD 241 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR -
RFQ
ECAD 7854 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F Tr -
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ECAD 6113 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29RZ4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,000
MTFC32GJVED-IT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-it -
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ECAD 3163 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-VFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
M29W320DB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N3F TR 1.8532
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ECAD 5523 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W320 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 70NS 未行业行业经验证
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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