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MT41K512M8DA-093：p	-	RFQ	5054	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT28GU512AAA2EGC-0SIT	-	RFQ	9970	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	MT28GU512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64-TBGA（10x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,800	133 MHz	非易失性	512Mbit	96 ns	闪光	64m x 8	平行线	-
MT49H16M36SJ-18：b tr	53.2200	RFQ	2627	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT53E512M32D1ZW-046 AIT：b tr	14.7000	RFQ	8351	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046AIT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
MT48LC8M16LFF4-10 IT：G	-	RFQ	1608	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT48V8M32LFB5-10 IT	-	RFQ	2422	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48V8M32	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	100 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
M25P10-AVMP6G	-	RFQ	1215	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P10	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	50 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	15ms，5ms
MT48LC8M8A2P-75：G。	-	RFQ	3778	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 8	平行线	15ns
MT53D4DBSB-DC TR	-	RFQ	9447	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	2,000
mtfc128gajaedn-it	114.0000	RFQ	5401	微米技术公司	E•MMC™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC128	闪存-NAND	-	169-LFBGA（14x18）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES：d	-	RFQ	7446	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT53E512M32D1ZW-046BAAT：b tr	-	RFQ	9146	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT：BTR			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
MT53D1G64D8S Q-053 wt es：e	-	RFQ	7815	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	556-VFBGA	MT53D1G64	sdram- lpddr4	1.1V	556-VFBGA （12.4x12.4）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT53D512M32D2DS-046 wt：d	-	RFQ	4591	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT53D512M32D2DS-046WT：d	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT47H128M8HQ-3：E TR	-	RFQ	8249	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT48LC4M32B2F5-7 IT：G Tr	-	RFQ	3103	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	14ns
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MT29F512G08CKEABH7-12IT：a tr	-	RFQ	9080	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	83 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29C4G96Maybackd-5 wt tr	-	RFQ	8496	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
MT41K64M16TW-107：J tr	5.0100	RFQ	8	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT28F640J3RG-115	-	RFQ	2213	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28F640J3	闪光	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	115 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	-
mtfc16gakaeef-at	-	RFQ	5962	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT46H32M32LFT68MWC2	-	RFQ	7901	微米技术公司	-	大部分	过时的	-			MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V		-					过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	1Gbit		德拉姆	32m x 32	平行线
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MT47H256M8THN-3 IT：h	-	RFQ	1591年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AAT：G Tr	2.7665	RFQ	9629	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：GTR			2,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
M45PE20-VMN6P	-	RFQ	3045	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M45PE20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M45PE20-VMN6P	Ear99	8542.32.0071	100	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²