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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F64G08AEAAAAAC5-ITZ：a tr	-	RFQ	5577	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-vlga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	52-vlga（18x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
NAND512W4A0AN6E	-	RFQ	9190	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	32m x 16	平行线	50ns
MT53E768M32D4DT-046 wt：e tr	21.4881	RFQ	3216	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E768M32D4DT-046WT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
MT29F2G16ABBEAH4-IT：e	-	RFQ	5756	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
N25Q064A13EW94ME	-	RFQ	7726	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,920	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F768G08EECBBJ4-37ES：b tr	-	RFQ	4890	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F768G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	768Gbit		闪光	96g x 8	平行线	-
M45PE20-VMN6TP TR	-	RFQ	1434	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M45PE20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，3ms
MT53D1G64D8NZ-046 wt：e	98.1150	RFQ	1247	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D1G64	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
EDB8164B4PT-1D-FR TR	-	RFQ	6576	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT40A256M16GE-083E IT：b tr	-	RFQ	6838	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT28F640J3RG-115 GMET TR	-	RFQ	2199	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28F640J3	闪光	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	115 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	-
MT29F2G08ABAEAWP-AATX：e tr	5.6400	RFQ	2	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR	11.8650	RFQ	6806	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）			MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR	-	RFQ	8902	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F8G08ABACAM71M3WC1	-	RFQ	5250	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 wt	-	RFQ	6126	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,140	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
mtfc2gmdea-0m wt a	-	RFQ	9099	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC2GMDEA-0MWTA	过时的	8542.32.0071	152		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-
N2M400FDB311A3CE	-	RFQ	2717	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	N2M400	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	588	52 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT48LC4M16A2TG-6：G。	-	RFQ	7712	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	12ns
MT48H32M16LFB4-6 AAT：c	-	RFQ	9091	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR	-	RFQ	2476	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），64m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT28GU512AAA2EGC-0AAT	-	RFQ	5737	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-TBGA	MT28GU512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64-TBGA（10x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,800	133 MHz	非易失性	512Mbit	96 ns	闪光	64m x 8	平行线	-
MT29F64G08CBCGBJ4-5M：g tr	-	RFQ	1893年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT49H8M36BM-5：b	-	RFQ	1534年	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	200 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
EDW4032BABG-70-FR TR	-	RFQ	8919	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	EDW4032	sgram -gddr5	1.31V〜1.65V	170-FBGA（12x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	1.75 GHz	易挥发的	4Gbit		内存	128m x 32	平行线	-
MT28GU256AAA2EGC-0AAT	-	RFQ	6426	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-TBGA	MT28GU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64-TBGA（10x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	133 MHz	非易失性	256Mbit	96 ns	闪光	32m x 8	平行线	-
MT55L256L32PT-10IT	9.9100	RFQ	2	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT53D384M16D1NY-046 XT ES：d	-	RFQ	4671	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜105°C（TC）			MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-
MT29F4G16ABADAWP：D Tr	-	RFQ	7039	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT29VZZCD91SKM-046 W.17Y	49.5750	RFQ	2615	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件			557-MT29VZZCD91SKSM-046W.17Y			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²