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mtfc16gakaecn-5m ait tr	-	RFQ	6067	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT53D4D1ARQ-DC	-	RFQ	7327	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	1,360
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MT53B4DCNK-DC TR	-	RFQ	2188	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	366-WFBGA	MT53B4	sdram- lpddr4		366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000		易挥发的			德拉姆
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mtfc4gmdea-r1 it tr	-	RFQ	3459	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
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M50FLW040AK5TG TR	-	RFQ	2326	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M50FLW040	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	750	33 MHz	非易失性	4Mbit	250 ns	闪光	512k x 8	平行线	-
MT29F4G08AAWP：a tr	-	RFQ	7666	微米技术公司	-	（CT）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
M25P05-AVMP6G	-	RFQ	8268	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P05-A	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,940	50 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi	15ms，5ms
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MT53B384M16D1Z0AQWC1	-	RFQ	8721	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1		易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-
PC28F256P33TFA	-	RFQ	9473	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- easybga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	256Mbit	95 ns	闪光	16m x 16	平行线	95ns
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MT29C4G48MayBaakq-5 wt	-	RFQ	6087	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29F1T08CQCBBG2-6R：b tr	-	RFQ	7559	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-LFBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	272-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
EDB4432BBJ-1DAUT-FD	-	RFQ	4257	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	134-WFBGA	EDB4432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
MT29F8G01ADAFD12-AATE：f tr	-	RFQ	3299	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	-	MT29F8G01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	8Gbit		闪光	8g x 1	spi	-
MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q TR	-	RFQ	8207	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	168-VFBGA	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	933 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
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mtfc16gapalgt-aat	27.2300	RFQ	1	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）			MTFC16	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC16GAPALGT-AAT	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29E512G08CUCABJ3-10Z：A Tr	-	RFQ	3090	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29E512G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT54W2MH8BF-5	33.0600	RFQ	86	微米技术公司	QDR®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	2m x 8	HSTL	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²