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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
M29W640GH7ANB6E	-	RFQ	7441	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT46H64M32LFMA-5 IT：a tr	-	RFQ	7409	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT46H16M16LFBF-6：h tr	-	RFQ	8476	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT46H1M32LFBQ-5 AAT：c	5.2052	RFQ	3083	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT41K256M8DA-107 AIT：k	-	RFQ	2747	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT46V64M4FG-75E：G。	-	RFQ	3193	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT46V64M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x14）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	64m x 4	平行线	15ns
MT45W4MW16PFA-70 IT TR	-	RFQ	9248	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
MT48LC8M16LFF4-75M IT：G。	-	RFQ	8203	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F4G01ABAFD12-AATE：f tr	-	RFQ	3275	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	24-TBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT48LC16M8A2BB-6A AIT：l tr	-	RFQ	7025	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	12ns
MT48LC2M32B2P-6A AAT：j tr	-	RFQ	8303	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
PF48F4000P0ZBQ0A	-	RFQ	5451	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	88-VFBGA，CSPBGA	48F4000P0	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-SCSP （8x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	176	52 MHz	非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	100ns
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：c	-	RFQ	2824	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT48H4M16LFB4-75 IT：h tr	-	RFQ	8175	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
MT48H32M16LFB4-6：c	-	RFQ	8860	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,560	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT53B512M64D4NK-062 WT ES：c	-	RFQ	9513	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT47H64M8SH-25E AIT：h	-	RFQ	9682	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,518	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
JR28F064M29EWTB TR	-	RFQ	8466	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JR28F064M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
M29W640GH70NA6F TR	-	RFQ	4650	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT62F2G64D8EK-026 wt：b tr	90.4650	RFQ	9963	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-026WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
M29W800DB70N6	-	RFQ	8386	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT29F1T08CMHBBJ4-3R：b tr	-	RFQ	7184	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT53D384M32D2DS-046 AAT：c	-	RFQ	8412	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT58L256L32PT-10	8.9300	RFQ	85	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT53D768M64D8S Q-053 wt es：e	-	RFQ	9130	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	556-VFBGA	MT53D768	sdram- lpddr4	1.1V	556-VFBGA （12.4x12.4）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR	-	RFQ	8902	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F8G08ABACAM71M3WC1	-	RFQ	5250	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 wt	-	RFQ	6126	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,140	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MT40A256M16GE-083E IT：b tr	-	RFQ	6838	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53D384M16D1NY-046 XT ES：d	-	RFQ	4671	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜105°C（TC）			MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²