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MT58L256L32FT-7.5	15.6400	RFQ	37	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	8mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
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MT29F128G08CFABBWP-12：b tr	-	RFQ	4025	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT41K128M8DA-107 IT：j tr	5.1300	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K128M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	-
MT53E384M32D2DS-053 wt：e	12.3100	RFQ	7534	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-053WT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT41J256M16RE-15E IT：d	-	RFQ	6730	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J256M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（10x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	4Gbit	13.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT29F1T08EELCEJ4-R：c tr	-	RFQ	6064	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F1T08EELCEJ4-R：CTR	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
RC48F4400P0VB00A	-	RFQ	3367	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	RC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- easybga（8x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT41K1G4THV-125：m	-	RFQ	8723	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K1G4	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	78-fbga（8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	1G x 4	平行线	-
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JS28F320J3D75E	-	RFQ	3804	微米技术公司	Strataflash™	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F320J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	32Mbit	75 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	75ns
MT48LC4M16A2B4-75 IT：G Tr	-	RFQ	9116	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
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MT58L128L32P1F-7.5	7.5200	RFQ	420	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
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RC28F256P30BFA	-	RFQ	7175	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	864	52 MHz	非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	100ns
MT62F512M64D4EK-031 AIT：b	29.6100	RFQ	9303	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F512M64D4EK-031AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	平行线	-
M25P40-VMN6PB	-	RFQ	6378	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1583-5	Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
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MT41K128M16JT-107 IT：k tr	6.4300	RFQ	3	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT62F1G64D4EK-023 WT ES：b	45.6900	RFQ	6406	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F1G64D4EK-023WTES：b			1
mtfc8glwdq-3l ait a	-	RFQ	9014	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		mtfc8glwdq-3laita	过时的	8542.32.0071	1		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
mtfc64gazaotd-ait	33.5100	RFQ	1489	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC64GAZAOTD-AIT			1
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²