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![]() | MT47H1G4WTR-25E:C tr | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 63-fbga | MT47H1G4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga(9x11.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 1G x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT58L512L18PT-7.5 | 6.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 5 | 133 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 4 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc32gakaejp-4m it | - | ![]() | 1627年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | - | 153-VFBGA(11.5x13) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT53E128M32D2DS-046自动:a | 12.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E128M32D2DS-046AUT:a | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | - | - | ||
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MT41J64M16JT-15E IT:G Tr | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
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![]() | mtfc32gjuef-ait tr | - | ![]() | 7288 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-TFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | N25Q00AA13G1241F TR | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | N25Q00AA13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 256m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
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![]() | PC28F128P30BF65A | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 128mbit | 65 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 65ns | ||
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D Tr | 35.5500 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | |||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 AIT:b | 86.2050 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜95°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AIT:b | 1 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 3G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
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![]() | mtfc64gazaqhd-ait | 38.9100 | ![]() | 1220 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC64GAZAQHD-AIT | 1 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | MT40A1G16KH-062E AIT:e | 15.6150 | ![]() | 8976 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x13) | 下载 | 557-MT40A1G16KH-062EAIT:e | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 荚 | 15ns | |||||||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10Z:a | - | ![]() | 9668 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | NAND512WA2SN6E | - | ![]() | 7416 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand512 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 512Mbit | 50 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 50ns | |||
![]() | MT41J256M8HX-15E AAT:d | - | ![]() | 9876 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-fbga(9x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | M58BW32FT4D150 | - | ![]() | 6077 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | M58BW32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 32Mbit | 45 ns | 闪光 | 4m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | MT58L256L32FS-7.5 | 12.8400 | ![]() | 426 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 32 | 平行线 | - | |||
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MT40A4G4DVN-068H:e tr | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT40A4G4DVN-068H:ETR | 过时的 | 2,000 | 1.467 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 27 NS | 德拉姆 | 4G x 4 | 平行线 | - | ||||
![]() | JS28F320J3F75F | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F320J3 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -JS28F320J3F75F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 32Mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 75ns | ||
![]() | MT40A256M16GE-062E:b tr | - | ![]() | 9652 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT40A256M16GE-062E:BTR | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
MT53E256M32D2FW-046 AIT:b | 14.0850 | ![]() | 8237 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 上次购买 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | 557-MT53E256M32D2FW-046AIT:b | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | MT28F400B3SG-8 TET TR | - | ![]() | 1858年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) | MT28F400B3 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 44-SO | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 80ns |
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