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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT62F1G64D4EK-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT ES:b 45.6900
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F1G64D4EK-023WTES:b 1
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-FD -
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA EDB8164 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 216-fbga(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT29F1T08EELCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EELCEJ4-QJ:c 30.2700
RFQ
ECAD 8516 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EELCEJ4-QJ:c 1
JS28F320J3F75F Micron Technology Inc. JS28F320J3F75F -
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ECAD 7224 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F320J3 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -JS28F320J3F75F 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 32Mbit 75 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 75ns
MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 wt:d -
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR -
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ECAD 6711 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000
MT40A1G16RC-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E IT:b 22.1500
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ECAD 5970 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT49H8M36BM-33 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33 IT:b tr -
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ECAD 1722年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA MT49H8M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
MT58L256L32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-7.5 15.6400
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ECAD 37 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 8mbit 7.5 ns SRAM 256K x 32 平行线 -
MTFC64GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC64GBCAVTC-AAT ES 38.4600
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ECAD 6452 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTFC64GBCAVTC-AATE 1
MT29F128G08CFABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12:b tr -
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ECAD 4025 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MTFC64GBCAVTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcavtc-aat es tr 38.4600
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ECAD 5345 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC64GBCAVTC-AATESTR 2,000
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT:b 43.5300
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ECAD 6163 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 1.5GX 32 平行线 -
M25P20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P20-VMP6TG TR -
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ECAD 2145 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25P20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-VFQFPN(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 15ms,5ms
MT25QL02GCBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AUT 47.4900
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ECAD 615 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL02 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT25QL02GCBB8E12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 spi 1.8ms
MT53E2G64D8TN-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 wt:a 92.3100
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ECAD 8724 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 556-LFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046WT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 64 平行线 18NS
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H256M4SH-25E:m tr -
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ECAD 1160 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) - rohs3符合条件 3(168)) MT47H256M4SH-25E:MTR Ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 256m x 4 平行线 15ns
MT53D512M64D4SB-046 XT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT:d -
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ECAD 2388 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELCEJ4-R:c tr -
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ECAD 6064 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1T08EELCEJ4-R:CTR 过时的 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT41J256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J256M16RE-15E IT:d -
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ECAD 6730 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(10x14) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 易挥发的 4Gbit 13.5 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT41K128M8DA-107 IT:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 IT:j tr 5.1300
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ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 -
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​ Q-053 WT ES:E TR -
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ECAD 5379 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 556-VFBGA MT53D1G64 sdram- lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
PC28F128G18FE Micron Technology Inc. PC28F128G18FE -
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ECAD 6655 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 管子 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 非易失性 128mbit 96 ns 闪光 8m x 16 平行线 96ns
MT53ED1ADS-DC Micron Technology Inc. MT53ED1ADS-DC 22.5000
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ECAD 9063 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53ED1 - 到达不受影响 557-MT53ED1ADS-DC 1,360
M25P16-VMC6G Micron Technology Inc. M25P16-VMC6G -
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ECAD 2323 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 M25P16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-fufdfpn(MLP8)(4x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
MT29F1G08ABBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4:D TR -
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ECAD 5090 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT25QU128ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
ECAD 1931年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) MT25QU128ABA8E12-1SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT53E512M32D2NP-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 wt:e -
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 表面安装 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT53E512M32D2NP-053WT:e 过时的 1,360
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT -
RFQ
ECAD 1551年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) 平行线 -
N25Q128A13E1440F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1440F TR -
RFQ
ECAD 6531 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库