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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QA:e tr 52.9800
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA:ETR 2,000
M29W640GH70NB6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70NB6F TR -
RFQ
ECAD 1496年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1200 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT47H32M16BN-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-25:D Tr -
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ECAD 6228 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G 2.5267
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G 8542.32.0071 1,260 非易失性 2Gbit 闪光 128m x 16 平行线 -
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AIT:b tr -
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ECAD 1064 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT40A1G16KD-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E:e tr -
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ECAD 7469 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x13) - rohs3符合条件 到达不受影响 557-MT40A1G16KD-062E:ETR 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB:c tr 78.1500
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ECAD 6433 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB:CTR 2,000
MT29F128G08CBCCBH6-6C:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6C:c -
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ECAD 5684 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
JS28F256P30TFA Micron Technology Inc. JS28F256P30TFA -
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ECAD 4308 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F256P30 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 非易失性 256Mbit 110 ns 闪光 16m x 16 平行线 110NS
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT:a 12.1200
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ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E128M32D2DS-046AAT:a Ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AIT:p tr 8.1700
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ECAD 9844 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 wt tr -
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ECAD 1303 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 512m x 8 nand),64m x 32 lpdram) 平行线 -
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZCD91SKSM-046 W.17Y TR 49.5750
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ECAD 3933 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 557-MT29VZZCD91SKSM-046W.17YTR 1
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAH4-ITE:f -
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ECAD 9994 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AIT:b 58.0650
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ECAD 4296 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 - 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT48LC8M8A2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-6A:J Tr -
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ECAD 9905 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 8 平行线 12ns
MTFC32GASAONS-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-at 21.1800
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ECAD 9495 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AIT 1 52 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 UFS2.1 -
MT29F4T08EMLCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QC:c 83.9100
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ECAD 7640 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC:c 1
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AIT: -
RFQ
ECAD 9219 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E128 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E128M16D1DS-053AIT:a 过时的 1,360 1.866 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 - -
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AIT:b 86.2050
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ECAD 6007 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F3G32D8DV-023AIT:b 1
M29W400BB90N6 Micron Technology Inc. M29W400BB90N6 -
RFQ
ECAD 3927 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 90NS
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 -
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ECAD 8086 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT25QL128ABB1EW7-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT -
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ECAD 7252 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V (8-wpdfn (6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF:k 64.8000
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF:k 1
MTFC4GMVEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GMVEA-1M wt -
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ECAD 5700 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 在sic中停产 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT48LC16M16A2FG-7E:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-7E:d -
RFQ
ECAD 1631年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x14) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
JS28F256M29EWHB TR Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHB TR -
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ECAD 1297 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F256M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 非易失性 256Mbit 110 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 110NS
M58LT128KSB8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6F TR -
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ECAD 1059 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M58LT128 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 非易失性 128mbit 85 ns 闪光 8m x 16 平行线 85ns
N25Q032A13EV140 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV140 -
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ECAD 5949 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) - - N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT46V16M16P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T:f -
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库