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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
M25PX32-VMF6E	-	RFQ	2423	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25PX32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	15ms，5ms
EDBA232B2PB-1D-FD	-	RFQ	5881	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	EDBA232	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	533 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
M25PX32-VZM6E	-	RFQ	9945	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	M25PX32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	187	75 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	15ms，5ms
MT47H128M16RT-25E：c	14.6300	RFQ	3	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H128M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-fbga（9x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,260	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT62F1G32D2DS-023 AAT：b	31.9350	RFQ	2628	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR	-	RFQ	9426	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	24-TBGA	MT35XU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	XCCELA巴士	-
MT53E1G16D1FW-046 AAT：a	15.9600	RFQ	6318	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G16D1FW-046AAT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
M29W640GH70ZF6F TR	-	RFQ	3350	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT53E128M16D1DS-053 IT：a tr	-	RFQ	8662	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-WFBGA（10x14.5）	-		3（168））		557-MT53E128M16D1DS-053IT：ATR	过时的		2,000	1.866 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT40A1G8AG-062E AUT：R TR	-	RFQ	7620	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-			到达不受影响	557-MT40A1G8AG-062EAUT：RTR			1
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF：a tr	70.9650	RFQ	7425	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF：ATR		8542.32.0071	2,000	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT55L256L36FT-11	14.4200	RFQ	4432	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
mtfc64gajaedn-ait	-	RFQ	9723	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	169-LFBGA（14x18）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT58L256L36FT-10	15.6400	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT52L768M32D3PU-107 wt：b tr	-	RFQ	6886	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	MT52L768	sdram- lpddr3	1.2V	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
MT62F2G32D4DS-023 AIT：c tr	58.0650	RFQ	9529	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023AIT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
mtfc32gazaqhd-wt	18.0200	RFQ	1781年	微米技术公司	E•MMC™	托盘	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAZAQHD-WT	3A991B1A	8542.32.0071	1,520	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT52L512M64D4PQ-107 WT：b tr	-	RFQ	3618	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	253-VFBGA	MT52L512	sdram- lpddr3	1.2V	253-VFBGA（11x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F2G08ABDWP：d	-	RFQ	2475	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F256G08CMCABH2-12Z：a	-	RFQ	5478	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,120	83 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 AUT：C TR	73.4400	RFQ	8011	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F2G32D4DS-023AUT：CTR			2,000
PF38F3050M0Y0CEA	-	RFQ	1653	微米技术公司	-	管子	过时的				38F3050M0				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800
MT58L1MY18DT-10	18.9400	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT41K128M16JT-125 IT：k	-	RFQ	9755	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29F1T208ECCBBJ4-37：b tr	-	RFQ	8661	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T208	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
MT53D8DBWF-DC TR	-	RFQ	3092	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	376-WFBGA	MT53D8	sdram- lpddr4		376-WFBGA（14x14）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000		易挥发的			德拉姆
RD48F4400P0VBQ0A	-	RFQ	9874	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	88-TFBGA，CSPBGA	RD48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-SCSP （8x11）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	176	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT40A256M16LY-062E：f	8.3250	RFQ	8468	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53E512M32D1ZW-046BAAT：b	-	RFQ	4582	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
M29W640GB90NA6E	-	RFQ	2008	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M29W640GB90NA6E	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²