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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
M29F200FT5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT5AM6F2 TR -
RFQ
ECAD 6118 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F200 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 2Mbit 55 ns 闪光 256K x 8,128k x 16 平行线 55ns
MT58L256L32FS-8.5IT Micron Technology Inc. MT58L256L32FS-8.5IT 18.9100
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 8mbit 8.5 ns SRAM 256K x 32 平行线 -
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 wt:d -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A AIT:j tr -
RFQ
ECAD 2873 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC2M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 12ns
M25P32-VMW3GB TR Micron Technology Inc. M25P32-VMW3GB TR -
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M25p3​​ 2 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,500 75 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 15ms,5ms
M58LR256KT70ZC5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZC5E -
RFQ
ECAD 4292 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 79-VFBGA M58LR256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 79-VFBGA(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 1,740 66 MHz 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 16m x 16 平行线 70NS
MT47H32M16HR-3:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3:G。 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT48LC16M16A2P-6A L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A L:G。 -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 12ns
MT29F8T08GULCEM4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QJ:c tr 156.3000
RFQ
ECAD 7737 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F8T08GULCEM4-QJ:CTR 2,000
MT40A512M8RH-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-062E:b tr -
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
M29W640GH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GH70ZA6E -
RFQ
ECAD 9489 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT40A512M16JY-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AUT:b -
RFQ
ECAD 8179 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(8x14) 下载 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
MT47H128M8SH-25E:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E:m -
RFQ
ECAD 1198 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,518 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT53E2D1BCY-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1BCY-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 2577 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT53E2 - 到达不受影响 557-MT53E2D1BCY-DCTR 2,000
MT29F512G08CMEABH7-12:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMEABH7-12:a -
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT:f tr -
RFQ
ECAD 8353 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:ftr 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT:h tr -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 12ns
DC0232A-D Micron Technology Inc. DC0232A-D -
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,900
MT40A1G16TB-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E IT:f 14.9550
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A1G16TB-062EIT:f 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:e tr 13.2450
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:ETR 2,000
MT46V32M8P-6T:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T:g tr -
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MTC4C10163S1SC56BG1 Micron Technology Inc. MTC4C10163S1SC56BG1 50.6850
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTC4C10163S1SC56BG1 1
MT58L256V36PS-6 TR Micron Technology Inc. MT58L256V36PS-6 Tr 5.9800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 易挥发的 8mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT29F1G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4:e tr -
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB:c 78.1500
RFQ
ECAD 9217 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB:c 1
MT53B512M32D2DS-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 XT:c -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D2HE-18 IT:D Tr 8.8050
RFQ
ECAD 5304 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA MT42L64M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 134-vfbga(10x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT42L64M32D2HE-18IT:DTR Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 -
RFQ
ECAD 3214 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - 过时的 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:e tr -
RFQ
ECAD 5976 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库