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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT48LC16M16A2BG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-7E:D Tr -
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MTFC32GLXDI-WT TR Micron Technology Inc. mtfc32glxdi-wt tr -
RFQ
ECAD 2733 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MTFC64GASAQHD-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gasaqhd-ait 28.4400
RFQ
ECAD 2415 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC64GASAQHD-AIT 1 200 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 EMMC_5.1 -
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2F4-7E:G Tr -
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 14ns
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF:k 64.8000
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF:k 1
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AIT: -
RFQ
ECAD 9219 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) MT53E128 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E128M16D1DS-053AIT:a 过时的 1,360 1.866 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 - -
M29W400BB90N6 Micron Technology Inc. M29W400BB90N6 -
RFQ
ECAD 3927 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 90NS
MT29F4T08GLLCEG7-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GLLCEG7-QB:c tr 78.1500
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB:CTR 2,000
MT29F4T08EMLCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QC:c 83.9100
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC:c 1
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 -
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ECAD 8086 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT62F3G32D8DV-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AIT:b 86.2050
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ECAD 6007 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F3G32D8DV-023AIT:b 1
MTFC32GASAONS-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-at 21.1800
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ECAD 9495 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AIT 1 52 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 UFS2.1 -
JS28F256P30TFA Micron Technology Inc. JS28F256P30TFA -
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ECAD 4308 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F256P30 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 非易失性 256Mbit 110 ns 闪光 16m x 16 平行线 110NS
MT25QL128ABB1EW7-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT -
RFQ
ECAD 7252 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V (8-wpdfn (6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MTFC512GBCAVHE-WT Micron Technology Inc. mtfc512gbcavhe-wt 63.8550
RFQ
ECAD 3070 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTFC512GBCAVHE-WT 1
MTFC32GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait es tr -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MTFC64GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalht-ait -
RFQ
ECAD 9898 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) MTFC64 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC64GAPALHT-AIT 8542.32.0071 980 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:c tr 90.3150
RFQ
ECAD 4118 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT:CTR 2,000
M29F800DT70M6E Micron Technology Inc. M29F800DT70M6E -
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.525英寸,宽度为13.34mm) M29F800 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 16 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 70NS
MT58L64L36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36FT-7.5 5.1700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 2Mbit 7.5 ns SRAM 64k x 36 平行线 -
M58LR256KB70ZQ5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5F TR -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 88-TFBGA M58LR256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 88-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 16m x 16 平行线 70NS
MT29F1G08ABADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP:d -
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
M29W800DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZE6E -
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W800 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 187 非易失性 8mbit 70 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 70NS
MT42L128M64D2LL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 IT:a -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 216-fbga(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT40A512M16LY-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AAT:e 10.1250
RFQ
ECAD 8831 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT40A512M16LY-062EAAT:e Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D Tr -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F32G08CBADBWPR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWPR:d -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AAT:c tr -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR -
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ECAD 7005 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29RZ4B2 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA (11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit(LPDDR2) 闪光,ram 512m x 8 nand),64m x 32 lpddr2) 平行线 -
MT53D4DACR-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DACR-DC TR -
RFQ
ECAD 9643 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - MT53D4 sdram- lpddr4 - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 2,000 易挥发的 德拉姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库