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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093:E TR -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT:J tr -
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT:c -
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
M28W160CB70N6E Micron Technology Inc. M28W160CB70N6E -
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M28W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 1m x 16 平行线 70NS
MT44K32M36RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E:A TR -
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ECAD 9132 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 易挥发的 1.125Gbit 7.5 ns 德拉姆 32m x 36 平行线 -
MT29F4T08EMLCHD4-QC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QC:c tr 83.9100
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ECAD 3296 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC:CTR 2,000
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H -
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ECAD 1712 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 121-WFBGA MT29RZ1CV flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 121-VFBGA (8x7.5) - (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 533 MHz 非易失性,挥发性 1Gbit(NAND),512Mbit(LPDDR2) 闪光,ram 128m x 8 nand),32m x 16(lpddr2) 平行线 -
M28W320HSB70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W320HSB70ZA6F TR -
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ECAD 3046 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TFBGA M28W320 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TFBGA(10.5x6.39) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 2m x 16 平行线 70NS
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR -
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ECAD 5833 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR 5.4900
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ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR Micron Technology Inc. MT38M5041A3034EZZI.xr6 Tr -
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ECAD 5817 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-VFBGA MT38M5041 flash-也不,psram 1.7V〜1.95V 56-VFBGA(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500 133 MHz 非易失性,挥发性 512mbit(Flash),128mbit(ram) 闪光,ram 32m x 16,8m x 16 平行线 -
N25Q00AA11G1240E Micron Technology Inc. N25Q00AA11G1240E -
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ECAD 3488 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-LBGA N25Q00AA11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-lpbga(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 256m x 4 spi 8ms,5ms
PC28F512G18FF TR Micron Technology Inc. PC28F512G18FF TR -
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ECAD 9351 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 96 ns 闪光 32m x 16 平行线 96ns
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR 16.2100
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ECAD 723 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G48 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),2Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 16 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CH-031 wt:a tr -
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ECAD 3231 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CH-031WT:ATR 过时的 2,000 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 1.5GX 64 平行线 -
MT47H128M4CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E:G Tr -
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ECAD 9573 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 128m x 4 平行线 15ns
M29F800DT55N6E Micron Technology Inc. M29F800DT55N6E -
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ECAD 9518 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F800 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 8mbit 55 ns 闪光 1M x 8,512k x 16 平行线 55ns
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT:h 4.6446
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ECAD 2950 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 上次购买 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,368 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MTFC16GJDEC-2M WT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-2M WT -
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ECAD 4542 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 169-WFBGA mtfc16g 闪存-NAND 1.65V〜3.6V 169-WFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CMCBBH7-6:b tr -
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ECAD 3875 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29E512G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR -
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ECAD 3961 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA MT29GZ5A5 flash -nand,dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA(8x9.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1866 MHz 非易失性,挥发性 4GBIT(NAND),4Gbit(LPDDR4) 闪光,ram 512m x 8 nand),128m x 32 lpddr4) 平行线 -
MT40A1G4RH-083E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-083E:b 11.0200
RFQ
ECAD 202 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 1G x 4 平行线 -
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR -
RFQ
ECAD 2514 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-6 wt:b -
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ECAD 1369 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 60-vfbga MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
MTFC32GJVED-4M IT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-4m it -
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ECAD 6364 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT48LC16M8A2BB-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AIT:l -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT48LC16M8A2 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(8x16) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 12ns
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Tr -
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ECAD 7278 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-LBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT48H16M32L2B5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H1M32L2B5-8 IT -
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ECAD 2861 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.9V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 易挥发的 512Mbit 7.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT -
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
M36L0R7060L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7060L3ZSF TR -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 M36L0R7060 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库