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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT40A1G8Z11BWC1	9.0100	RFQ	9552	微米技术公司	-	托盘	积极的	-	表面安装	死	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	晶圆	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT60B1G16HC-48B：a	16.5750	RFQ	5069	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48B：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	-
MT58L256V36PS-6 Tr	5.9800	RFQ	6	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	100	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR	-	RFQ	1276	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28FW01	闪光灯 -也不	1.7v〜3.6V	64-lbga（11x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
MT55L256V36PT-7.5Tr	14.4200	RFQ	500	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	8mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
M25PE20-VMP6TG TR	-	RFQ	7188	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PE20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，3ms
MT53E256M32D2DS-046 AAT：b	20.8700	RFQ	1313	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E256M32D2DS-046AAT：b	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT29F256G08CMCGBJ4-37R：g tr	-	RFQ	4916	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F256G08CMCGBJ4-37R：GTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
mtfc32gakaedq-ait tr	-	RFQ	7516	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	mtfc32gakaedq-aittr	过时的	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MTC4C10163S1SC56BG1	50.6850	RFQ	4685	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTC4C10163S1SC56BG1			1
MT52L256M32D1PD-107 WT ES：B TR	-	RFQ	6423	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT62F1G64D8CH-031 WT：b	37.2450	RFQ	9208	微米技术公司	-	大部分	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	-	-	MT62F1G64	sdram- lpddr5	1.05V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT62F1G64D8CH-031WT：b			1,190	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT29F16T08GSLCEM9-QB：c tr	312.5850	RFQ	8924	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F16T08GSLCEM9-QB：CTR			1,500
MT29F256G08CECBBH6-6R：b tr	-	RFQ	7550	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT41K512M16VRP-107 IT：p	15.2250	RFQ	4361	微米技术公司	Twindie™	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT41K512M16VRP-107IT：p			1,224	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT29F2G08ABBGAH4-AATE：G。	7.7000	RFQ	1560年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	30ns
MT40A16G4WPF-062H：b	194.0100	RFQ	3015	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）			MT40A16G4	SDRAM -DDR4	-		-		3（168））	到达不受影响	557-MT40A16G4WPF-062H：b		8542.32.0071	152	1.6 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	16克x 4	-	-
MTFC64GBCAQDQ-AAT TR	29.4000	RFQ	6519	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR			1,500
MT29F4G08ABADAWP-E：d	-	RFQ	1844年	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR	-	RFQ	8952	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	64m x 16（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53D512M16D1DS-046 IT：d	8.5200	RFQ	1224	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-WFBGA（10x14.5）	下载				557-MT53D512M16D1DS-046IT：d			1	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	-	-
MT40A512M16TB-062E IT：j tr	-	RFQ	2783	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT40A512M16TB-062EIT：JTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT60B2G8HB-48B IT：a	18.2400	RFQ	6984	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	82-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	82-vfbga（9x11）	-				557-MT60B2G8HB-48BIT：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	2G x 8	荚	-
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e tr	13.2450	RFQ	7551	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：ETR			2,000
JS28F512M29EWLD	-	RFQ	2053	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F512M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	110NS
MT62F2G64D8EK-026 wt：c	90.4650	RFQ	6295	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-026WT：c			1	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
MT42L128M32D1LH-25 wt：a tr	-	RFQ	1739年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-UFBGA	MT42L128M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	216-fbga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6	50.9250	RFQ	1430	微米技术公司	-	托盘	积极的				MT29TZZZ5				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6		0000.00.0000	1,520
MT53D4DBFL-DC	-	RFQ	4431	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	1
M25PX64S-VMF6P	-	RFQ	5519	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25PX64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	spi	15ms，5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²