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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT46H256M32L4JV-6 WT：b	-	RFQ	7724	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	8Gbit	5 ns	德拉姆	256m x 32	平行线	15ns
EDBM432B3PD-1D-FR TR	-	RFQ	1788年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDBM432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	-	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	533 MHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	平行线	-
MT53B2DAANK-DC	-	RFQ	2694	微米技术公司	-	托盘	过时的		表面安装	366-WFBGA		sdram- lpddr4		366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,190		易挥发的			德拉姆
MT47H32M16BN-37E IT：D Tr	-	RFQ	7565	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（10x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	易挥发的	512Mbit	500 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR	-	RFQ	1932年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT28EW128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-VFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	128mbit	95 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
M25P40-VMC6TGB TR	-	RFQ	4545	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-fufdfpn（MLP8）（4x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	4,000	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J	-	RFQ	8869	微米技术公司	-	托盘	过时的				MT29VZZZBD8				-	rohs3符合条件			557-MT29VZZBD8FQKSM-046W.G8J	过时的		152
MT29F1G08ABBDAH4：d	-	RFQ	8300	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
M28W320FCB70ZB6F TR	-	RFQ	3858	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	47-TFBGA	M28W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	47-TFBGA（6.39x6.37）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
M29W800FB7AZA6F TR	-	RFQ	7214	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT29RZ4B2DZZHHHHHHHTB-18I.80F	-	RFQ	3570	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	162-VFBGA	MT29RZ4B2	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	162-VFBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit（LPDDR2）		闪光，ram	128m x 32（NAND），64m x 32 lpddr2）	平行线	-
MT29F64G08CBABBWPR：b tr	-	RFQ	5535	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES：C TR	-	RFQ	4598	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT53D1024M64D8NW-046 wt：d	-	RFQ	4207	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
MT53E2G32D4DT-046 wt：a tr	47.4300	RFQ	6642	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E2G32D4DT-046WT：ATR		0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
M29F400BB90N1	-	RFQ	9763	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	90NS
EDFP112A3PB-JD-FR TR	-	RFQ	8127	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L	2.6600	RFQ	3972	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F2G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L		8542.32.0071	1		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT29F2G08ABAGAH4-ITE：G	2.0207	RFQ	7844	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-mt29f2g08abagah4-ite：gtr	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
N25W256A11EF840E	-	RFQ	8017	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	N25W256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	-
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ：A TR	-	RFQ	1670年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT40A512M8SA-062E AAT：f tr	15.5100	RFQ	1219	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M8SA-062EAAT：ftr	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT29F4T08GMLCEJ4-QJ：c tr	78.1500	RFQ	2408	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QJ：CTR			2,000
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT	-	RFQ	1334	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G56	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），256Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），8m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT48LC8M16A2P-6A AAT：l	-	RFQ	4236	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 TR	87.4800	RFQ	5431	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT29VZZZBD9				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29VZZBD9DQKPR-046W.9M9TR		0000.00.0000	1,000
MT53E1G64D4NZ-46 wt：c tr	76.0350	RFQ	9155	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53E1G64	sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	376-WFBGA（14x14）	-			到达不受影响	557-MT53E1G64D4NZ-46WT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT62F1536M32D4DS-023 AAT：b tr	47.8950	RFQ	9320	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT41K256M16TW-125：p	-	RFQ	4255	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT58L64L32FT-7.5	-	RFQ	6771	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	2Mbit	7.5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²